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表面淬火回火热处理硬度的检测方法及进展 www.tool-tool.com

碧威-龍捲風-a5dm

表面热处理分为两大类,一类是表面淬火回火热处理,另一类是化学热处理,其硬度检验方法如下:
1、表面淬火回火热处理
表面淬火回火热处理通常用感应加热或火焰加热的方式进行。主要技术参数是表面硬度、局部硬度和有效硬化层深度。硬度检测可采用维氏硬度计,也可采用洛氏或表面洛氏硬度计。试验力(标尺)的选择与有效硬化层深度和工件表面硬度有关。这里涉及到三种硬度计。
维氏硬度计是测试热处理工件表面硬度的重要手段,它可选用0.5~100kg的试验力,测试薄至0.05mm厚的表面硬化层,它的精度是最高的,可分辨出热处理工件表面硬度的微小差别。另外,有效硬化层深度也要由维氏硬度计来检测,所以,对于进行表面热处理加工或大量使用表面热处理工件的单位,配备一台维氏硬度计是有必要的。
表面洛氏硬度计也是十分适于测试表面淬火工件硬度的,表面洛氏硬度计有三种标尺可以选择。可以测试有效硬化深度超过0.1mm的各种表面硬化工件。尽管表面洛氏硬度计的精度没有维氏硬度计高,但是作为热处理工厂质量管理和合格检查的检测手段,已经能够满足要求。况且它还具有操作简单、使用方便、价格较低,测量迅速、可直接读取硬度值等特点,利用表面洛氏硬度计可对成批的表面热处理工件进行快速无损的逐件检测。这一点对于金属加工和机械制造工厂具有重要意义。
当表面热处理硬化层较厚时,也可采用洛氏硬度计。当热处理硬化层厚度在0.4~0.8mm时,可采用HRA标尺,当硬化层厚度超过0.8mm时,可采用HRC标尺。
维氏、洛氏和表面洛氏三种硬度值可以方便地进行相互换算,转换成标准、图纸或用户需要的硬度值。相应的换算表在国际标准ISO、美国标准ASTM和中国标准GB/T中都已给出。在沈阳天星网站的技术资料栏目中这三种换算表都可以找到。
2、化学热处理
化学热处理是使工件表面渗入一种或几种化学元素的原子,从而改变工件表面的化学成分、组织和性能。经淬火和低温回火后,工件表面具有高的硬度、耐磨性和接触疲劳强度,而工件的芯部又具有高的强韧性。
化学热处理工件的主要技术参数是硬化层深度和表面硬度。硬化层深度还是要用维氏硬度计来检测。检测从工件表面到硬度降到50HRC那一点的距离。这就是有效硬化深度
化学热处理工件的表面硬度检测与表面淬火热处理工件的硬度检测相近,都可以用维氏硬度计、表面洛氏硬度计或洛氏硬度计来检测,只是渗氮厚的厚度较薄,一般不大于0.7mm,这时就不能再采用洛氏硬度计了。
3、局部热处理
零件如果局部硬度要求较高,可用感应加热等方式进行局部淬火热处理,这样的零件通常要在图纸上标出局部淬火热处理的位置和局部硬度值。零件的硬度检测要在指定区域内进行。硬度检测仪器可采用洛氏硬度计,测试HRC硬度值,如热处理硬化层较浅,可采用表面洛氏硬度计,测试HRN硬度值。
1、古代的热处理
材料热处理在中国有悠久的历史。 与世界其他地区相比,中国古代热处理技术的发展有明显的区域特色,在某些方面中国的热处理技术落后于其它地区,但也有许多发明和技术在世界热处理史上处于遥遥领先的地位,其中不少成果还传播到了世界各地,对世界热处理技术的进步起到了直接的促进作用。
我国材料热处理技术的发展,同其它技术类似,传统的热处理技术经历过从萌芽、建立、发展、鼎盛到衰弱,最后是现代技术的引入、消化和发展的过程。参考我国古代的分期,可以认为,在远古时期,我国的热处理已经开始出现萌芽,在上古时期,我国传统热处理技术开始初步建立;到中古时期,我国传统的热处理技术进一步发展;在近古时期,我国传统热处理技术达到鼎盛,在近现代时期,我国的传统热处理技术逐渐衰弱,同时现代技术开始建立和发展。
2、现代热处理进展
热处理是机械工业中的一项十分重要的基础工艺,对提高机电产品内在质量和使用寿命,加强产品在国内外市场竞争能力具有举足轻重的作用。但是人们认识到这一点却花了相当长的时间和很大的代价。由于热处理影响的是产品的内在质量,它一般不会改变制品的形状,不会使人直观地感到它的必要性,弄不好还会严重畸变和开裂;破坏制品的表面质量和尺寸精度,致使制造过程前功尽弃。所以在我国的制造业中长期存在着“重冷(冷加工)轻热(热加工)”现象,以致这个行业一直处于落后状态。
由于工业基础的薄弱和在战争中遭受的破坏,我国的热处理在40年代还仅仅属于一种作坊式的生产,尚未形成实质性的产业。在工科院校中无热处理的专门学科,因而也缺乏高层次的专业技术人才。当时的热处理操作大都是家传技艺,笼罩着神秘气氛,处于十分落后的境地。
我国的热处理产业起源于50年代初苏联援建的156项企业。其中的机械工厂都设热处理车间和工段。购买了大批苏制热处理设备、包括箱式、井式、盐浴等30、40年代水平的电阻加热炉,并相应建立了第一批按苏联图纸生产这些类型设备的电炉厂。一些高等工科学校经过院系调整后、创建了包括在机械制造工艺系中的热处理专业,于1954~1956年培养出了第一批专科和本科的热处理专业正式毕业生。50年代末和60年代初还有从苏联学习归来一批热处理专业的留学生。陆续建立的一些科研机构和专科院校,基本上能按照材料和应用发展的步伐开展热处理基础和应用技术的研究开发,涌现出一系列的科研成果。由此,从人才培养、研究与开发,生产技术的革新和设备制造等方面初步形成了一个较完整的专业体系。
由于科研和生产应用的脱节,对革新生产设备的忽视以及长期闭关锁国造成的目光短浅,上世纪60、70年代的机械、冶金工厂的热处理生产技术没有出现明显的进步。直到80年代实现了和国际社会的沟通,引进了先进的技术和设备,一些大型骨干企业的生产技术有了明显的改观。

 

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歡迎來到Bewise Inc.的世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力,我們是提供專業刀具製造商,應對客戶高品質的刀具需求,我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求,我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質,這是現有相關技術無法比擬的,我們成功的滿足了各行各業的要求,包括:精密HSS DIN切削刀具協助客戶設計刀具流程DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計超高硬度的切削刀具醫療配件刀具設計複合式再研磨機PCD地板專用企口鑽石組合刀具粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭迎您親自體驗!!

BW Bewise Inc. Willy Chen willy@tool-tool.com bw@tool-tool.com http://www.tool-tool.com skype:willy_chen_bw mobile:0937-618-190 Head &Administration Office No.13,Shiang Shang 2nd St., West Chiu Taichung,Taiwan 40356 http://www.tool-tool.com / FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan S.Branch No.24,Sec.1,Chia Pu East Rd.,Taipao City,Chiayi Hsien,Taiwan

Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting toolaerospace tool .HSS  DIN Cutting toolCarbide end millsCarbide cutting toolNAS Cutting toolNAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end milldisc milling cutter,Aerospace cutting toolhss drillФрезерыCarbide drillHigh speed steelCompound SharpenerMilling cutterINDUCTORS FOR PCDCVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) Core drillTapered end millsCVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden FingerPCD V-CutterPCD Wood toolsPCD Cutting toolsPCD Circular Saw BladePVDD End Millsdiamond tool. INDUCTORS FOR PCD . POWDER FORMING MACHINE Single Crystal Diamond Metric end millsMiniature end millsСпециальные режущие инструментыПустотелое сверло Pilot reamerFraisesFresas con mango PCD (Polycrystalline diamond) ‘FresePOWDER FORMING MACHINEElectronics cutterStep drillMetal cutting sawDouble margin drillGun barrelAngle milling cutterCarbide burrsCarbide tipped cutterChamfering toolIC card engraving cutterSide cutterStaple CutterPCD diamond cutter specialized in grooving floorsV-Cut PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert PCD Diamond Tool Saw Blade with Indexable InsertNAS toolDIN or JIS toolSpecial toolMetal slitting sawsShell end millsSide and face milling cuttersSide chip clearance sawsLong end millsend mill grinderdrill grindersharpenerStub roughing end millsDovetail milling cuttersCarbide slot drillsCarbide torus cuttersAngel carbide end millsCarbide torus cuttersCarbide ball-nosed slot drillsMould cutterTool manufacturer.

Bewise Inc. www.tool-tool.com

ようこそBewise Inc.の世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな

情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。

弊社は専門なエンドミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ

豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は:

(1)精密HSSエンドミルのR&D

(2)Carbide Cutting tools設計

(3)鎢鋼エンドミル設計

(4)航空エンドミル設計

(5)超高硬度エンドミル

(6)ダイヤモンドエンドミル

(7)医療用品エンドミル設計

(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給

(4)オートメーション整備調達

(5)スポット対応~流れ生産対応

弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт  www.tool-tool.com  для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web  http://www.tool-tool.com  for more info.

 
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1、表面淬火回火热处理
表面淬火回火热处理通常用感应加热或火焰加热的方式进行。主要技术参数是表面硬度、局部硬度和有效硬化层深度。硬度检测可采用维氏硬度计,也可采用洛氏或表面洛氏硬度计。试验力(标尺)的选择与有效硬化层深度和工件表面硬度有关。这里涉及到三种硬度计。
维氏硬度计是测试热处理工件表面硬度的重要手段,它可选用0.5~100kg的试验力,测试薄至0.05mm厚的表面硬化层,它的精度是最高的,可分辨出热处理工件表面硬度的微小差别。另外,有效硬化层深度也要由维氏硬度计来检测,所以,对于进行表面热处理加工或大量使用表面热处理工件的单位,配备一台维氏硬度计是有必要的。
表面洛氏硬度计也是十分适于测试表面淬火工件硬度的,表面洛氏硬度计有三种标尺可以选择。可以测试有效硬化深度超过0.1mm的各种表面硬化工件。尽管表面洛氏硬度计的精度没有维氏硬度计高,但是作为热处理工厂质量管理和合格检查的检测手段,已经能够满足要求。况且它还具有操作简单、使用方便、价格较低,测量迅速、可直接读取硬度值等特点,利用表面洛氏硬度计可对成批的表面热处理工件进行快速无损的逐件检测。这一点对于金属加工和机械制造工厂具有重要意义。
当表面热处理硬化层较厚时,也可采用洛氏硬度计。当热处理硬化层厚度在0.4~0.8mm时,可采用HRA标尺,当硬化层厚度超过0.8mm时,可采用HRC标尺。
维氏、洛氏和表面洛氏三种硬度值可以方便地进行相互换算,转换成标准、图纸或用户需要的硬度值。相应的换算表在国际标准ISO、美国标准ASTM和中国标准GB/T中都已给出。在沈阳天星网站的技术资料栏目中这三种换算表都可以找到。
2、化学热处理
化学热处理是使工件表面渗入一种或几种化学元素的原子,从而改变工件表面的化学成分、组织和性能。经淬火和低温回火后,工件表面具有高的硬度、耐磨性和接触疲劳强度,而工件的芯部又具有高的强韧性。
化学热处理工件的主要技术参数是硬化层深度和表面硬度。硬化层深度还是要用维氏硬度计来检测。检测从工件表面到硬度降到50HRC那一点的距离。这就是有效硬化深度
化学热处理工件的表面硬度检测与表面淬火热处理工件的硬度检测相近,都可以用维氏硬度计、表面洛氏硬度计或洛氏硬度计来检测,只是渗氮厚的厚度较薄,一般不大于0.7mm,这时就不能再采用洛氏硬度计了。
3、局部热处理
零件如果局部硬度要求较高,可用感应加热等方式进行局部淬火热处理,这样的零件通常要在图纸上标出局部淬火热处理的位置和局部硬度值。零件的硬度检测要在指定区域内进行。硬度检测仪器可采用洛氏硬度计,测试HRC硬度值,如热处理硬化层较浅,可采用表面洛氏硬度计,测试HRN硬度值。
1、古代的热处理
材料热处理在中国有悠久的历史。 与世界其他地区相比,中国古代热处理技术的发展有明显的区域特色,在某些方面中国的热处理技术落后于其它地区,但也有许多发明和技术在世界热处理史上处于遥遥领先的地位,其中不少成果还传播到了世界各地,对世界热处理技术的进步起到了直接的促进作用。
我国材料热处理技术的发展,同其它技术类似,传统的热处理技术经历过从萌芽、建立、发展、鼎盛到衰弱,最后是现代技术的引入、消化和发展的过程。参考我国古代的分期,可以认为,在远古时期,我国的热处理已经开始出现萌芽,在上古时期,我国传统热处理技术开始初步建立;到中古时期,我国传统的热处理技术进一步发展;在近古时期,我国传统热处理技术达到鼎盛,在近现代时期,我国的传统热处理技术逐渐衰弱,同时现代技术开始建立和发展。
2、现代热处理进展
热处理是机械工业中的一项十分重要的基础工艺,对提高机电产品内在质量和使用寿命,加强产品在国内外市场竞争能力具有举足轻重的作用。但是人们认识到这一点却花了相当长的时间和很大的代价。由于热处理影响的是产品的内在质量,它一般不会改变制品的形状,不会使人直观地感到它的必要性,弄不好还会严重畸变和开裂;破坏制品的表面质量和尺寸精度,致使制造过程前功尽弃。所以在我国的制造业中长期存在着“重冷(冷加工)轻热(热加工)”现象,以致这个行业一直处于落后状态。
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我国的热处理产业起源于50年代初苏联援建的156项企业。其中的机械工厂都设热处理车间和工段。购买了大批苏制热处理设备、包括箱式、井式、盐浴等30、40年代水平的电阻加热炉,并相应建立了第一批按苏联图纸生产这些类型设备的电炉厂。一些高等工科学校经过院系调整后、创建了包括在机械制造工艺系中的热处理专业,于1954~1956年培养出了第一批专科和本科的热处理专业正式毕业生。50年代末和60年代初还有从苏联学习归来一批热处理专业的留学生。陆续建立的一些科研机构和专科院校,基本上能按照材料和应用发展的步伐开展热处理基础和应用技术的研究开发,涌现出一系列的科研成果。由此,从人才培养、研究与开发,生产技术的革新和设备制造等方面初步形成了一个较完整的专业体系。
由于科研和生产应用的脱节,对革新生产设备的忽视以及长期闭关锁国造成的目光短浅,上世纪60、70年代的机械、冶金工厂的热处理生产技术没有出现明显的进步。直到80年代实现了和国际社会的沟通,引进了先进的技术和设备,一些大型骨干企业的生产技术有了明显的改观。

 

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豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

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(1)精密HSSエンドミルのR&D

(2)Carbide Cutting tools設計

(3)鎢鋼エンドミル設計

(4)航空エンドミル設計

(5)超高硬度エンドミル

(6)ダイヤモンドエンドミル

(7)医療用品エンドミル設計

(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

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發文者為 於 2010/01/29 英吋 Uncategorized

 

电火花磨削 www.tool-tool.com

1 (2)

电火花磨削-正文

  在工具和工件之间产生脉冲放电来去除导电材料的电火花加工,英文简称EDG。电火花磨削分为电火花成形磨削、电火花小孔内圆磨削、电火花铲磨、电火花刃磨和电火花螺纹磨削等几种方法。前两种加工方法应用较广。
电火花磨削在电火花成形磨削(见图)中,导电磨轮一般采用高纯石墨材料,根据加工要求修整成形。磨轮和工作台都与机床其他部分绝缘而分别与脉冲电源相连接。脉冲电源的电压一般为30~400伏,频率 200~500千赫。磨轮的线速度通常为30~180米/分。磨削时在磨轮与工件之间供给充分的工作液(一般用煤油)。工作台在伺服控制作用下以一定的速度向磨轮进给,使工件与磨轮之间保持狭小的火花间隙(0.01~0.07毫米),在火花间隙中产生的高频火花放电去除金属材料,从而达到磨削加工的目的。电火花成形磨削的精度一般可控制在 0.005毫米以内。表面粗糙度与火花频率和工件材料等因素有关,通常在Rα1.25~0.16微米范围内。电火花成形磨削适用于加工任何导电材料,对机械磨削困难的硬质材料更能发挥优越性。用这种方法可磨削硬质合金成形刀具、可转位刀具的刀片、淬硬的镶拼模具或齿条等。由于磨削过程中无机械切削力,电火花磨削还可用于磨削微细、薄壁等易变形的零件和深槽、狭缝等。
  电火花小孔内圆磨削的原理是:将电极丝水平放置或垂直放置,工件作旋转运动,并沿电极丝作往复运动,同时工件还向电极丝(或电极丝向工件)作进给移动。电极丝通常用紫铜制成,直径一般为0.5~2毫米。电火花小孔内圆磨削的精度一般为0.002~0.005毫米,表面粗糙度一般为Rα0.32~0.16微米,最高可达Rα0.04~0.02微米。电火花小孔内圆磨削适合于磨削直径 5毫米以下的深小孔和锥孔,可用于加工弹簧夹头、微型轴承、组合夹具、钻套、模具和阀体等零件的小孔。

电火花磨削-电火花磨削的两种主要方法

块状电极径向进给电火花磨削法
块状电极径向进给电火花磨削法亦称成形块反拷法或反拷模块法。它是采用表面形状与微细轴母线形状相同的块状电极,使成形表面正对着转动的微细轴的轴线作径向伺服进给。
线电极电火花磨削法
线电极电火花磨削法,是日本东京大学的增泽隆久教授于1984年发明的。它特别适合于精密电火花磨削微细轴类零件,基本原理如图2所示。线电极电火花磨削法用沿固定在数控工作台上的导向器(不是转动导轮)的导向表面作均匀移动的线电极作为加工工具,数控系统控制固定导向器切点的相对运动轨迹,使线电极沿转动的微细轴的径向和轴向作伺服进给。
两种加工方法的比较

1:由于放电加工区大小的巨大差异,块状电极法的蚀除速度明显优于线电极法(约为5倍以上)。
2:由于块状电极法工具电极的损耗不能及时补偿,导致经常中断加工,需要经常测量加工尺寸,观察工具损耗情况,更新工具的放电工作表面。由于加工过程的中断一般只能进行有限几次人工干预,故结束加工时工具电极表面的损耗情况难以控制,影响工件的形状和尺寸精度。特别是多件加工时,工件的形状和尺寸的一致性差。而线电极损耗能通过线电极的移动源源不断地进行补偿,可以不考虑工具的损耗,工件的形状和尺寸精度由数控运动精度来保证。
3:在块状电极法加工中,人工干预多,难以实现加工自动化:而在线电极法加工中,因为没有这些问题,可以连续实现粗、精加工。
4:块状电极损耗表面修复后可以重新使用。而线电极是一次性使用,加工时间长,线电极消耗大,还需要一套精密的走丝机构,故线电极法加工成本高。
5:块状电极的制造、定位和调整水平要求较高。线电极的形状和尺寸精度及走丝的平稳性同样对加工精度产生影响。

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歡迎來到Bewise Inc.的世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力,我們是提供專業刀具製造商,應對客戶高品質的刀具需求,我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求,我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質,這是現有相關技術無法比擬的,我們成功的滿足了各行各業的要求,包括:精密HSS DIN切削刀具協助客戶設計刀具流程DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計超高硬度的切削刀具醫療配件刀具設計複合式再研磨機PCD地板專用企口鑽石組合刀具粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭迎您親自體驗!!

BW Bewise Inc. Willy Chen willy@tool-tool.com bw@tool-tool.com http://www.tool-tool.com skype:willy_chen_bw mobile:0937-618-190 Head &Administration Office No.13,Shiang Shang 2nd St., West Chiu Taichung,Taiwan 40356 http://www.tool-tool.com / FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan S.Branch No.24,Sec.1,Chia Pu East Rd.,Taipao City,Chiayi Hsien,Taiwan

Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting toolaerospace tool .HSS  DIN Cutting toolCarbide end millsCarbide cutting toolNAS Cutting toolNAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end milldisc milling cutter,Aerospace cutting toolhss drillФрезерыCarbide drillHigh speed steelCompound SharpenerMilling cutterINDUCTORS FOR PCDCVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) Core drillTapered end millsCVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden FingerPCD V-CutterPCD Wood toolsPCD Cutting toolsPCD Circular Saw BladePVDD End Millsdiamond tool. INDUCTORS FOR PCD . POWDER FORMING MACHINE Single Crystal Diamond Metric end millsMiniature end millsСпециальные режущие инструментыПустотелое сверло Pilot reamerFraisesFresas con mango PCD (Polycrystalline diamond) ‘FresePOWDER FORMING MACHINEElectronics cutterStep drillMetal cutting sawDouble margin drillGun barrelAngle milling cutterCarbide burrsCarbide tipped cutterChamfering toolIC card engraving cutterSide cutterStaple CutterPCD diamond cutter specialized in grooving floorsV-Cut PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert PCD Diamond Tool Saw Blade with Indexable InsertNAS toolDIN or JIS toolSpecial toolMetal slitting sawsShell end millsSide and face milling cuttersSide chip clearance sawsLong end millsend mill grinderdrill grindersharpenerStub roughing end millsDovetail milling cuttersCarbide slot drillsCarbide torus cuttersAngel carbide end millsCarbide torus cuttersCarbide ball-nosed slot drillsMould cutterTool manufacturer.

Bewise Inc. www.tool-tool.com

ようこそBewise Inc.の世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな

情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。

弊社は専門なエンドミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ

豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は:

(1)精密HSSエンドミルのR&D

(2)Carbide Cutting tools設計

(3)鎢鋼エンドミル設計

(4)航空エンドミル設計

(5)超高硬度エンドミル

(6)ダイヤモンドエンドミル

(7)医療用品エンドミル設計

(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給

(4)オートメーション整備調達

(5)スポット対応~流れ生産対応

弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт  www.tool-tool.com  для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web  http://www.tool-tool.com  for more info.

 
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电火花磨削 www.tool-tool.com

1 (2)

电火花磨削-正文

  在工具和工件之间产生脉冲放电来去除导电材料的电火花加工,英文简称EDG。电火花磨削分为电火花成形磨削、电火花小孔内圆磨削、电火花铲磨、电火花刃磨和电火花螺纹磨削等几种方法。前两种加工方法应用较广。
电火花磨削在电火花成形磨削(见图)中,导电磨轮一般采用高纯石墨材料,根据加工要求修整成形。磨轮和工作台都与机床其他部分绝缘而分别与脉冲电源相连接。脉冲电源的电压一般为30~400伏,频率 200~500千赫。磨轮的线速度通常为30~180米/分。磨削时在磨轮与工件之间供给充分的工作液(一般用煤油)。工作台在伺服控制作用下以一定的速度向磨轮进给,使工件与磨轮之间保持狭小的火花间隙(0.01~0.07毫米),在火花间隙中产生的高频火花放电去除金属材料,从而达到磨削加工的目的。电火花成形磨削的精度一般可控制在 0.005毫米以内。表面粗糙度与火花频率和工件材料等因素有关,通常在Rα1.25~0.16微米范围内。电火花成形磨削适用于加工任何导电材料,对机械磨削困难的硬质材料更能发挥优越性。用这种方法可磨削硬质合金成形刀具、可转位刀具的刀片、淬硬的镶拼模具或齿条等。由于磨削过程中无机械切削力,电火花磨削还可用于磨削微细、薄壁等易变形的零件和深槽、狭缝等。
  电火花小孔内圆磨削的原理是:将电极丝水平放置或垂直放置,工件作旋转运动,并沿电极丝作往复运动,同时工件还向电极丝(或电极丝向工件)作进给移动。电极丝通常用紫铜制成,直径一般为0.5~2毫米。电火花小孔内圆磨削的精度一般为0.002~0.005毫米,表面粗糙度一般为Rα0.32~0.16微米,最高可达Rα0.04~0.02微米。电火花小孔内圆磨削适合于磨削直径 5毫米以下的深小孔和锥孔,可用于加工弹簧夹头、微型轴承、组合夹具、钻套、模具和阀体等零件的小孔。

电火花磨削-电火花磨削的两种主要方法

块状电极径向进给电火花磨削法
块状电极径向进给电火花磨削法亦称成形块反拷法或反拷模块法。它是采用表面形状与微细轴母线形状相同的块状电极,使成形表面正对着转动的微细轴的轴线作径向伺服进给。
线电极电火花磨削法
线电极电火花磨削法,是日本东京大学的增泽隆久教授于1984年发明的。它特别适合于精密电火花磨削微细轴类零件,基本原理如图2所示。线电极电火花磨削法用沿固定在数控工作台上的导向器(不是转动导轮)的导向表面作均匀移动的线电极作为加工工具,数控系统控制固定导向器切点的相对运动轨迹,使线电极沿转动的微细轴的径向和轴向作伺服进给。
两种加工方法的比较

1:由于放电加工区大小的巨大差异,块状电极法的蚀除速度明显优于线电极法(约为5倍以上)。
2:由于块状电极法工具电极的损耗不能及时补偿,导致经常中断加工,需要经常测量加工尺寸,观察工具损耗情况,更新工具的放电工作表面。由于加工过程的中断一般只能进行有限几次人工干预,故结束加工时工具电极表面的损耗情况难以控制,影响工件的形状和尺寸精度。特别是多件加工时,工件的形状和尺寸的一致性差。而线电极损耗能通过线电极的移动源源不断地进行补偿,可以不考虑工具的损耗,工件的形状和尺寸精度由数控运动精度来保证。
3:在块状电极法加工中,人工干预多,难以实现加工自动化:而在线电极法加工中,因为没有这些问题,可以连续实现粗、精加工。
4:块状电极损耗表面修复后可以重新使用。而线电极是一次性使用,加工时间长,线电极消耗大,还需要一套精密的走丝机构,故线电极法加工成本高。
5:块状电极的制造、定位和调整水平要求较高。线电极的形状和尺寸精度及走丝的平稳性同样对加工精度产生影响。

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弊社は各領域に供給できる内容は:

(1)精密HSSエンドミルのR&D

(2)Carbide Cutting tools設計

(3)鎢鋼エンドミル設計

(4)航空エンドミル設計

(5)超高硬度エンドミル

(6)ダイヤモンドエンドミル

(7)医療用品エンドミル設計

(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給

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各種炭素鋼(S45C,S50C,S55C,S60C,S65C) www.tool-tool.com

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特徴

炭素鋼は特殊鋼の中では硬度が低く、また粘り強いので、ある程度の強度が必要な構造部品に使用されます。お客様の御希望通りの仕様(板厚公差、硬度規格等)にて小ロットで製造致します。機構部品にご採用されることが多い材料ですが、当社では時計部品等の精密部品にも採用された実績を基に、安定した品質をお届け致します。

用途

時計部品、自動車部品、ワッシャー

当社のメリット
  • 小ロット対応で300kg~製造可能です。
  • 硬度を調整することができます。
  • 薄物の材料を製造できます。
  • 厳しい板厚公差が製造できます:一般材では保証できないより精密な板厚公差で製造できます。

種類

鋼種記号

学成分  (%)

C

Si

Mn

P

S

Cr

その他

不純物

カミソリ鋼

TE-2
(SKS81M)

1.20~
1.30

0.15~
0.35

≦0.35

≦0.030

≦0.020

0.30~
0.50

Cu≦0.25

Ni≦0.25

炭素工具鋼
JIS G 3311
(4401)

SK-2M
(SK-120M)

1.20~1.30

≦0.20

≦0.35

≦0.025

≦0.020

0.30~
0.50

Cu≦0.25
Ni≦0.25

SK-4M
(SK-95M)

0.90~
1.00

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

Cu≦0.25
Ni≦0.25
Cr≦0.30

SK-5M
(SK-85M)

0.80~
0.90

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

SK-6M
(SK-75M)

0.70~
0.80

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

SK-7M
(SK-65M)

0.60~
0.70

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

高清浄鋼

TNS-4

0.90~
1.00

0.15~
0.30

0.35~
0.50

≦0.030

≦0.007

0.15~
0.30

Cu≦0.25
Ni≦0.25

M 2

1.00

0.22

0.66

0.020

0.004

0.38

Mo       0.02~0.03

合金工具鋼
JIS G 3311
(4404)

SKS-2M

1.00~
1.10

≦0.35

≦0.80

≦0.030

≦0.030

0.50~
1.00

W
1.00~1.50

Cu≦0.25
Ni≦0.25

SKS- 51M

0.75~
0.85

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

0.20~
0.50

Ni         1.30~2.00 

SKS-7M

1.10~
1.20

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

0.20~
0.50

W
2.00~2.50

炭素鋼
JIS G 3311
(4051)

S70CM

0.65~
0.75

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S60CM

0.55~
0.65

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

Cu≦0.30
Ni≦0.20
Cr≦0.20 S55C~
S15C
Ni±Cr
≦0.35

S55CM

0.52~
0.58

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S50CM

0.47~
0.53

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S45CM

0.42~
0.48

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S15CM

0.13~
0.18

0.15~
0.35

0.30~
0.60

≧0.030

≧0.035

クロム        モリブデン鋼
JIS G 3311
(4105)

SCM415M

0.13~
0.18

0.15~
0.35

0.60~
0.85

≦0.030

≦0.030

0.90~
1.20

Ni           ≦0.25

Mo   0.15~0.30

Cu≦0.30

〔注〕 記号末尾のMはJISみがき特殊帯鋼該当鋼種(以下Mは省略いたします)

種  類

鋼種記号

特             性

カミソリ鋼

TE-2

カミソリ鋼は成分の調整及び製造履歴の厳重な管理によって焼入性を増し、炭化物を微細化して、切れ味耐磨耗性を高めた材料で、カミソリ替刃、長刃、高級刃物等に使用されています。

炭素工具鋼

SK-2
SK-4
SK-5
SK-6
SK-7

炭素工具鋼は、みがき特殊帯鋼のうち、その加工性、焼入性、製品性能、価格等で最も広く使われています。
刃物、切削具、工具のように硬いものからバネ、ゼンマイ、メリヤス針、ホーン、メジャーテープ、座金のように弾性や靱性を必要とするもの迄、凡ゆる分野に使用されています。

高清浄鋼

TNS-4
M 2

通常の製造条件で作られた一般鋼材は、その製鋼過程で多少の非金属介在物の混入は避けられず、高信頼性が要求される用途では、時として問題になる場合があります。
これらはSK4に相当する高清浄鋼で、従来の製鋼過程に特殊な精錬工程を追加して、介在物を減少させるようにしたもので、ESR鋼には及びませんが、特に寿命や疲労特性が重視される用途に適しています。

合金工具鋼

SKS-2
SKS-7
SKS-51

SKS2とSKS7は高炭素鋼にタングステン、クロムを添加して細かく硬い複炭化物を分散させた鋼種で、耐磨耗性や高温強度に優れ、カッター、ハクソー、メタルバンドソー等に使用されています。
また、SKS51はニッケル、クロムの添加で靱性を高めた材料で、バンドソー、カッター、ホーン等に使われています。

炭素鋼

S70C
S60C
S55C
S50C
S45C
S15C

炭素鋼は炭素工具鋼より炭素量が低目で、不純成分の規制も緩やかになっており、ある程度の強度と粘り強さを必要とするような一般的な用途に適しています。炭素量の低いものは、生材の加工性はよくなりますが焼入のムラが生じ易いので温度管理、冷却方法等の注意が必要です。事務機、電気、機械等の構造部品やバネ、座金、クラッチ部品、トムソン刃、ベアリング部品等に使われています。

クロム
モリブデン鋼

SCM415
(旧SCM21)

クロムモリブデン鋼は代表的な構造用合金鋼で、焼入、焼戻を行なうことによって中程度の強度と粘り強さが得られる材料です。これらの素材は硬さも低く加工性に富んでいます。また合金成分の効果で焼入性がよく、多少冷却速度が遅くても焼が入り、歪の発生も少なくなります。
SCM415は肌焼鋼で通常浸炭し、表面を硬化させて使用します。
事務機、電気、機械部品、トムソン刃、チェーン部品等に使われています。

みがき特殊帯鋼は通常圧延された状態(圧延仕上またはロール仕上)のままで供給されていますが、弊社では、最も軟かい焼鈍仕上から最も硬い強圧延仕上まで、各種仕上状態のものを製作していますので、ご用途に最も適した仕上状態のものをお選びいただけます。

このように仕上状態は圧延の程度によって連続的に変わるものですが、便宜上、弊社では次表のように数種に大別して呼称しています。鋼種、寸法等によって多少の差異はありますが、一応の目安としてご利用下さい。

仕上状態

仕上圧延率

焼鈍仕上

―――(焼鈍のまま)

スキンパス仕上

5  %  以  内

ロール仕上

15~40  %

強圧延仕上

35  %  以  上

鋼  種

仕上状態

さ試験

引張試験

HV

引張強さ N/mm2

伸び %

TE-2

SK-2

焼鈍仕上

170~210

520~685

20~32

スキンパス仕上

190~230

570~715

10~28

ロール仕上

250~290

735~980

2~15

強圧延仕上

280~320

835~1080

1~3

SK- 4

TNS-4

焼鈍仕上

160~200

490~645

24~35

スキンパス仕上

175~215

540~695

12~32

ロール仕上

245~285

725~970

2~15

強圧延仕上

270~310

825~1040

1~4

SK- 5

SKS-51

焼鈍仕上

150~190

460~625

26~37

スキンパス仕上

170~210

510~685

15~35

ロール仕上

240~280

725~ 930

3 ~16

強圧延仕上

260~300

805 ~1000

1~5

SK-6

S70C

焼鈍仕上

145~185

440~615

27~38

スキンパス仕上

160~200

490~665

15~35

ロール仕上

235~275

715~920

3~16

強圧延仕上

255~295

795~990

1~5

SK-7

S60C、S55C S50C、S45C S15C

焼鈍仕上

140~180

410~610

28~39

スキンパス仕上

155~195

460~655

16~36

ロール仕上

230~270

705~900

3~17

強圧延仕上

250~290

775~970

1~5

SKS-2

焼鈍仕上

190 ~230

615~715

20~30

強圧延仕上

280~ 320

835~1080

1~3

SKS-7

焼鈍仕上

200~240

645~735

20~28

強圧延仕上

300~340

880~1125

1~3

SCM415

焼鈍仕上

125~165

335~540

28~50

強圧延仕上

200~240

655~735

1~8

〔注〕 引張試験片は圧延方向よりとったJIS 6号試験片によります。

概要

みがき特殊帯鋼は通常切断、打抜き、曲げ、絞り等のさまざまな加工が施されて使用されていますが、弊社では各種材料を使用・用途に合わせて吟味製作しています。前記の仕上および機械的性質や次の事項等ご参照の上御用命下さい。

切断・せん断・打抜き

(1)これらの加工では一般的にだれ、かえりが少なく断面の美麗さ、均一性が要求されますので、圧延仕上・強圧延仕上のものが最も多く使用されています。せん断面を多くするため軽い圧延仕上のものを使用したり、クリアランス(すきま)を狭くしたりまたは曲げ・絞り等の加工を組み合わせて行なうために、軟質仕上のものを加工する場合は、だれ、かえりが出やすくなります。

(2)クリアランスは板厚の5~10%が普通ですが材質、仕上状態、加工条件等により適当な値を選ぶ必要があります。

〔参考〕せん断力概算式(打抜き)
P=ltS l……せん断長さ  t……板厚
S……せん断抵抗(約0.8×材料の引張強さ)

曲げ

(1)軽い曲げ加工の場合は圧延仕上のものが使われることもありますが、通常焼鈍仕上、またはスキンパス仕上のものが使用されています。

(2)帯鋼は一般に方向性があり特に圧延仕上のものは、方向性が強いので圧延方向に平行な曲げは避け、できるだけ圧延方向に直角または交叉するような曲げができる板取りを考える必要があります。

(3)切断、せん断加工後かえりが曲げ外面に出るような曲げ加工を行ないますと、かえり部からきれつが入ることがありますので、かえり部を曲げ内面にするとか、かえり取りの後に曲げ加工を行なう等の配慮が必要です。

(4)曲げ加工の際、材料のスプリングバックは加工の程度、材料の仕上状態によっても異なりますが、型、加工法により適当な補正が必要です。

5)曲げ加工性は材質、加工条件により異なりますが、仕上状態別におよそ次の程度の加工が可能です。(主としてSK5以下の低炭素鋼を対象とします)

仕上状態

厚 さ 1 mm 未 満

厚 さ 1 mm 以 上

焼鈍仕上

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

スキンパス仕上

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

圧延仕上 (軽度の)

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

〔注〕 t……板厚  R……曲げの内側半径

〔参考〕 曲げ力概算式
V型ダイス……P=0.6bt2σB/L      b ……板幅 t……板厚

U型ダイス……P=0.3bt2σB(1+t/L ) σB……材料の引張強さ  L……ダイス溝幅

絞り

(1)絞り加工は、軽度のものは別として通常全方向に対する均一な絞り性が必要されるため、焼鈍仕上またはスキンパス仕上のものが使用されています。

(2)みがき特殊帯鋼は軟鋼のような著しいストレッチャーストレイン現象はありませんが、絞り限界は低目で、深絞りの場合は中間焼鈍を施して再絞りを行ないます。普通平板絞りの場合: 絞り率=0.4  再絞りの場合: 絞り率=0.6とされています

絞り率=d/D

d ……絞られる製品の直径
D ……絞る前の円板の直径

〔参考〕 絞り力概算式(丸絞り)  σB……材料の引張強さ

P=πdtσBm          t ……板厚      m……補正係数(普通0.4~1.0)

概要

みがき特殊帯鋼は、殆どすべてのものが用途に応じ適当な焼入焼戻等の熱処理を施して使用されています。この熱処理で重要な点は、以下の通りです。

(1) 適正な条件で均一な加熱、冷却を行なうこと

(2) 脱炭、スケール生成、高温腐食等を極力防ぐこと

(3) 焼入歪を最小にするような焼入法をとること

炉温と材料温度

一般に熱処理を行なう場合、熱処理炉の炉温を測定し、それを材料加熱温度としていますが、真の材料温度と測定炉温との間に大きいズレやムラを生ずることがありますので、温度特性をよく調べて適当な温度補正や熱処理法の変更を行なう必要があります。

前処理と雰囲気

みがき特殊帯鋼は、高炭素になるほど脱炭しやすく、特に焼入のような高温加熱の場合は危険が増大します。また、材料に汚れや異物が付着したまま加熱しますと高温焼付や高温腐食が生じます。このため熱処理にさきだって、材料表面を清浄にする前処理や炉内雰囲気を調整することが必要です。
炉内雰囲気として標準的なものは焼入にはRXガス、焼鈍にはNXガスですが、この他N2ガス、H2ガス、AXガス等も使われています。(雰囲気ガスは用語の解説参照)
また中性塩浴炉、金属浴炉や炉心管、ケース等を使用して直接外気に触れないようにする方法もとられています。

焼入

鋼種

焼入温度℃

鋼種

焼入温度℃

TE 2

790~850油冷(760~820水冷)

SKS 2

830~880油冷

SKS 7

830~880油冷

SK 4

790~850油冷(760~820水冷)

SK 5

790~850油冷(760~820水冷)

S 70 C

790~850油冷

SK 6

790~850油冷(760~820水冷)

S 60 C

800~860水冷

SK 7

790~850油冷(760~820水冷)

S 55 C

800~860水冷

S 50 C

800~860水冷

TNS 4

790~850油冷(760~820水冷)

S 45 C

800~860水冷

M 2

790~850油冷(760~820水冷)

S 15 C

800~860水冷

SKS 51

790~850油冷(760~820水冷)

SCM 415

1次 850~900油冷

2次 800~850油冷

焼入には、通常上記準備焼入温度のほぼ中心値を選んで材質、寸法、形状、要求される性能、焼入方法等に応じ数十秒ないし数分間保持します。
焼入条件は製品性能に大きく影響し焼入温度が高すぎたり、保持時間が長すぎたりしますと結晶粒の粗大化や靱性の低下をきたし、また脱炭の危険も増えますし、逆の場合は完全に硬化しなかったり、一部軟点を生じたりしますので適正な条件を選ばなければなりません。
冷却には一般に油または水が用いられます。水冷の方が油冷よりも硬く焼が入りますが焼入歪、焼われ等の危険があるため、みがき特殊帯鋼の場合は一部特例を除き、油冷が採用されています。焼入歪を防止するため油温を高めてマルテンパー処理を施したり、特殊な例では塩浴、金属浴中への焼入(オーステンパー処理)も行なわれています。
またリボン状の材料や単純な形状の場合は、定盤焼入やプレスクエンチング等が行なわれています。代表的な鋼種の焼入特性は次図の通りです。

焼戻

焼入を行なった材料は、要求される硬度がどのように高い場合でも、必ず焼戻を施さなければなりません。焼戻条件は、夫々の製品が要求する性能に応じ、テストやその鋼種の焼入焼戻性能曲線等を参考にして選びます。
みがき特殊帯鋼の場合、質量が小さくまた連続的な焼戻作業が行われることが多いので、焼戻時間としては特に粘り強さを必要とする場合に長時間焼戻を行なうこともありますが、一般には数分以内の短時間焼戻を行なっている場合が多いようです。また連続作業上、短時間しかとれない場合、焼戻温度をやや高目にしたり繰り返し焼戻を行なうこともあります。
しかし焼戻は、原則として高温短時間で行なうより低温長時間で行なう方が靱性が大きくなりますので、必要以上に焼戻炉を短かくしたり、焼戻温度を高くしすぎたり、時間を短かくしたりすることは避けなければなりません。
また油浴、金属浴、塩浴等により焼戻を行なう場合は、空中焼戻よりも時間を短縮することができます。
代表的な鋼種の焼入焼戻特性は下図の通りです。

焼鈍

材料の軟化や歪取りのため焼鈍を行なうことがありますが、この焼鈍温度としては600~700℃が適当です。温度が高すぎると組織が変化したり脱炭やスケール発生の危険が生じますので、一般にはやや低目の温度を選んだ方が無難です。保持時間は数分ないし30分位保持して徐冷しますが、徐冷は200℃位まで行ない、それ以下は放冷しても差し支えありません。

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發文者為 於 2010/01/29 英吋 Uncategorized

 

各種炭素鋼(S45C,S50C,S55C,S60C,S65C) www.tool-tool.com

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特徴

炭素鋼は特殊鋼の中では硬度が低く、また粘り強いので、ある程度の強度が必要な構造部品に使用されます。お客様の御希望通りの仕様(板厚公差、硬度規格等)にて小ロットで製造致します。機構部品にご採用されることが多い材料ですが、当社では時計部品等の精密部品にも採用された実績を基に、安定した品質をお届け致します。

用途

時計部品、自動車部品、ワッシャー

当社のメリット
  • 小ロット対応で300kg~製造可能です。
  • 硬度を調整することができます。
  • 薄物の材料を製造できます。
  • 厳しい板厚公差が製造できます:一般材では保証できないより精密な板厚公差で製造できます。

種類

鋼種記号

学成分  (%)

C

Si

Mn

P

S

Cr

その他

不純物

カミソリ鋼

TE-2
(SKS81M)

1.20~
1.30

0.15~
0.35

≦0.35

≦0.030

≦0.020

0.30~
0.50

Cu≦0.25

Ni≦0.25

炭素工具鋼
JIS G 3311
(4401)

SK-2M
(SK-120M)

1.20~1.30

≦0.20

≦0.35

≦0.025

≦0.020

0.30~
0.50

Cu≦0.25
Ni≦0.25

SK-4M
(SK-95M)

0.90~
1.00

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

Cu≦0.25
Ni≦0.25
Cr≦0.30

SK-5M
(SK-85M)

0.80~
0.90

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

SK-6M
(SK-75M)

0.70~
0.80

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

SK-7M
(SK-65M)

0.60~
0.70

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

高清浄鋼

TNS-4

0.90~
1.00

0.15~
0.30

0.35~
0.50

≦0.030

≦0.007

0.15~
0.30

Cu≦0.25
Ni≦0.25

M 2

1.00

0.22

0.66

0.020

0.004

0.38

Mo       0.02~0.03

合金工具鋼
JIS G 3311
(4404)

SKS-2M

1.00~
1.10

≦0.35

≦0.80

≦0.030

≦0.030

0.50~
1.00

W
1.00~1.50

Cu≦0.25
Ni≦0.25

SKS- 51M

0.75~
0.85

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

0.20~
0.50

Ni         1.30~2.00 

SKS-7M

1.10~
1.20

≦0.35

≦0.50

≦0.030

≦0.030

0.20~
0.50

W
2.00~2.50

炭素鋼
JIS G 3311
(4051)

S70CM

0.65~
0.75

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S60CM

0.55~
0.65

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

Cu≦0.30
Ni≦0.20
Cr≦0.20 S55C~
S15C
Ni±Cr
≦0.35

S55CM

0.52~
0.58

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S50CM

0.47~
0.53

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S45CM

0.42~
0.48

0.15~
0.35

0.60~
0.90

≦0.030

≦0.035

S15CM

0.13~
0.18

0.15~
0.35

0.30~
0.60

≧0.030

≧0.035

クロム        モリブデン鋼
JIS G 3311
(4105)

SCM415M

0.13~
0.18

0.15~
0.35

0.60~
0.85

≦0.030

≦0.030

0.90~
1.20

Ni           ≦0.25

Mo   0.15~0.30

Cu≦0.30

〔注〕 記号末尾のMはJISみがき特殊帯鋼該当鋼種(以下Mは省略いたします)

種  類

鋼種記号

特             性

カミソリ鋼

TE-2

カミソリ鋼は成分の調整及び製造履歴の厳重な管理によって焼入性を増し、炭化物を微細化して、切れ味耐磨耗性を高めた材料で、カミソリ替刃、長刃、高級刃物等に使用されています。

炭素工具鋼

SK-2
SK-4
SK-5
SK-6
SK-7

炭素工具鋼は、みがき特殊帯鋼のうち、その加工性、焼入性、製品性能、価格等で最も広く使われています。
刃物、切削具、工具のように硬いものからバネ、ゼンマイ、メリヤス針、ホーン、メジャーテープ、座金のように弾性や靱性を必要とするもの迄、凡ゆる分野に使用されています。

高清浄鋼

TNS-4
M 2

通常の製造条件で作られた一般鋼材は、その製鋼過程で多少の非金属介在物の混入は避けられず、高信頼性が要求される用途では、時として問題になる場合があります。
これらはSK4に相当する高清浄鋼で、従来の製鋼過程に特殊な精錬工程を追加して、介在物を減少させるようにしたもので、ESR鋼には及びませんが、特に寿命や疲労特性が重視される用途に適しています。

合金工具鋼

SKS-2
SKS-7
SKS-51

SKS2とSKS7は高炭素鋼にタングステン、クロムを添加して細かく硬い複炭化物を分散させた鋼種で、耐磨耗性や高温強度に優れ、カッター、ハクソー、メタルバンドソー等に使用されています。
また、SKS51はニッケル、クロムの添加で靱性を高めた材料で、バンドソー、カッター、ホーン等に使われています。

炭素鋼

S70C
S60C
S55C
S50C
S45C
S15C

炭素鋼は炭素工具鋼より炭素量が低目で、不純成分の規制も緩やかになっており、ある程度の強度と粘り強さを必要とするような一般的な用途に適しています。炭素量の低いものは、生材の加工性はよくなりますが焼入のムラが生じ易いので温度管理、冷却方法等の注意が必要です。事務機、電気、機械等の構造部品やバネ、座金、クラッチ部品、トムソン刃、ベアリング部品等に使われています。

クロム
モリブデン鋼

SCM415
(旧SCM21)

クロムモリブデン鋼は代表的な構造用合金鋼で、焼入、焼戻を行なうことによって中程度の強度と粘り強さが得られる材料です。これらの素材は硬さも低く加工性に富んでいます。また合金成分の効果で焼入性がよく、多少冷却速度が遅くても焼が入り、歪の発生も少なくなります。
SCM415は肌焼鋼で通常浸炭し、表面を硬化させて使用します。
事務機、電気、機械部品、トムソン刃、チェーン部品等に使われています。

みがき特殊帯鋼は通常圧延された状態(圧延仕上またはロール仕上)のままで供給されていますが、弊社では、最も軟かい焼鈍仕上から最も硬い強圧延仕上まで、各種仕上状態のものを製作していますので、ご用途に最も適した仕上状態のものをお選びいただけます。

このように仕上状態は圧延の程度によって連続的に変わるものですが、便宜上、弊社では次表のように数種に大別して呼称しています。鋼種、寸法等によって多少の差異はありますが、一応の目安としてご利用下さい。

仕上状態

仕上圧延率

焼鈍仕上

―――(焼鈍のまま)

スキンパス仕上

5  %  以  内

ロール仕上

15~40  %

強圧延仕上

35  %  以  上

鋼  種

仕上状態

さ試験

引張試験

HV

引張強さ N/mm2

伸び %

TE-2

SK-2

焼鈍仕上

170~210

520~685

20~32

スキンパス仕上

190~230

570~715

10~28

ロール仕上

250~290

735~980

2~15

強圧延仕上

280~320

835~1080

1~3

SK- 4

TNS-4

焼鈍仕上

160~200

490~645

24~35

スキンパス仕上

175~215

540~695

12~32

ロール仕上

245~285

725~970

2~15

強圧延仕上

270~310

825~1040

1~4

SK- 5

SKS-51

焼鈍仕上

150~190

460~625

26~37

スキンパス仕上

170~210

510~685

15~35

ロール仕上

240~280

725~ 930

3 ~16

強圧延仕上

260~300

805 ~1000

1~5

SK-6

S70C

焼鈍仕上

145~185

440~615

27~38

スキンパス仕上

160~200

490~665

15~35

ロール仕上

235~275

715~920

3~16

強圧延仕上

255~295

795~990

1~5

SK-7

S60C、S55C S50C、S45C S15C

焼鈍仕上

140~180

410~610

28~39

スキンパス仕上

155~195

460~655

16~36

ロール仕上

230~270

705~900

3~17

強圧延仕上

250~290

775~970

1~5

SKS-2

焼鈍仕上

190 ~230

615~715

20~30

強圧延仕上

280~ 320

835~1080

1~3

SKS-7

焼鈍仕上

200~240

645~735

20~28

強圧延仕上

300~340

880~1125

1~3

SCM415

焼鈍仕上

125~165

335~540

28~50

強圧延仕上

200~240

655~735

1~8

〔注〕 引張試験片は圧延方向よりとったJIS 6号試験片によります。

概要

みがき特殊帯鋼は通常切断、打抜き、曲げ、絞り等のさまざまな加工が施されて使用されていますが、弊社では各種材料を使用・用途に合わせて吟味製作しています。前記の仕上および機械的性質や次の事項等ご参照の上御用命下さい。

切断・せん断・打抜き

(1)これらの加工では一般的にだれ、かえりが少なく断面の美麗さ、均一性が要求されますので、圧延仕上・強圧延仕上のものが最も多く使用されています。せん断面を多くするため軽い圧延仕上のものを使用したり、クリアランス(すきま)を狭くしたりまたは曲げ・絞り等の加工を組み合わせて行なうために、軟質仕上のものを加工する場合は、だれ、かえりが出やすくなります。

(2)クリアランスは板厚の5~10%が普通ですが材質、仕上状態、加工条件等により適当な値を選ぶ必要があります。

〔参考〕せん断力概算式(打抜き)
P=ltS l……せん断長さ  t……板厚
S……せん断抵抗(約0.8×材料の引張強さ)

曲げ

(1)軽い曲げ加工の場合は圧延仕上のものが使われることもありますが、通常焼鈍仕上、またはスキンパス仕上のものが使用されています。

(2)帯鋼は一般に方向性があり特に圧延仕上のものは、方向性が強いので圧延方向に平行な曲げは避け、できるだけ圧延方向に直角または交叉するような曲げができる板取りを考える必要があります。

(3)切断、せん断加工後かえりが曲げ外面に出るような曲げ加工を行ないますと、かえり部からきれつが入ることがありますので、かえり部を曲げ内面にするとか、かえり取りの後に曲げ加工を行なう等の配慮が必要です。

(4)曲げ加工の際、材料のスプリングバックは加工の程度、材料の仕上状態によっても異なりますが、型、加工法により適当な補正が必要です。

5)曲げ加工性は材質、加工条件により異なりますが、仕上状態別におよそ次の程度の加工が可能です。(主としてSK5以下の低炭素鋼を対象とします)

仕上状態

厚 さ 1 mm 未 満

厚 さ 1 mm 以 上

焼鈍仕上

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

スキンパス仕上

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

圧延仕上 (軽度の)

100 CHARACTERS

100 CHARACTERS

〔注〕 t……板厚  R……曲げの内側半径

〔参考〕 曲げ力概算式
V型ダイス……P=0.6bt2σB/L      b ……板幅 t……板厚

U型ダイス……P=0.3bt2σB(1+t/L ) σB……材料の引張強さ  L……ダイス溝幅

絞り

(1)絞り加工は、軽度のものは別として通常全方向に対する均一な絞り性が必要されるため、焼鈍仕上またはスキンパス仕上のものが使用されています。

(2)みがき特殊帯鋼は軟鋼のような著しいストレッチャーストレイン現象はありませんが、絞り限界は低目で、深絞りの場合は中間焼鈍を施して再絞りを行ないます。普通平板絞りの場合: 絞り率=0.4  再絞りの場合: 絞り率=0.6とされています

絞り率=d/D

d ……絞られる製品の直径
D ……絞る前の円板の直径

〔参考〕 絞り力概算式(丸絞り)  σB……材料の引張強さ

P=πdtσBm          t ……板厚      m……補正係数(普通0.4~1.0)

概要

みがき特殊帯鋼は、殆どすべてのものが用途に応じ適当な焼入焼戻等の熱処理を施して使用されています。この熱処理で重要な点は、以下の通りです。

(1) 適正な条件で均一な加熱、冷却を行なうこと

(2) 脱炭、スケール生成、高温腐食等を極力防ぐこと

(3) 焼入歪を最小にするような焼入法をとること

炉温と材料温度

一般に熱処理を行なう場合、熱処理炉の炉温を測定し、それを材料加熱温度としていますが、真の材料温度と測定炉温との間に大きいズレやムラを生ずることがありますので、温度特性をよく調べて適当な温度補正や熱処理法の変更を行なう必要があります。

前処理と雰囲気

みがき特殊帯鋼は、高炭素になるほど脱炭しやすく、特に焼入のような高温加熱の場合は危険が増大します。また、材料に汚れや異物が付着したまま加熱しますと高温焼付や高温腐食が生じます。このため熱処理にさきだって、材料表面を清浄にする前処理や炉内雰囲気を調整することが必要です。
炉内雰囲気として標準的なものは焼入にはRXガス、焼鈍にはNXガスですが、この他N2ガス、H2ガス、AXガス等も使われています。(雰囲気ガスは用語の解説参照)
また中性塩浴炉、金属浴炉や炉心管、ケース等を使用して直接外気に触れないようにする方法もとられています。

焼入

鋼種

焼入温度℃

鋼種

焼入温度℃

TE 2

790~850油冷(760~820水冷)

SKS 2

830~880油冷

SKS 7

830~880油冷

SK 4

790~850油冷(760~820水冷)

SK 5

790~850油冷(760~820水冷)

S 70 C

790~850油冷

SK 6

790~850油冷(760~820水冷)

S 60 C

800~860水冷

SK 7

790~850油冷(760~820水冷)

S 55 C

800~860水冷

S 50 C

800~860水冷

TNS 4

790~850油冷(760~820水冷)

S 45 C

800~860水冷

M 2

790~850油冷(760~820水冷)

S 15 C

800~860水冷

SKS 51

790~850油冷(760~820水冷)

SCM 415

1次 850~900油冷

2次 800~850油冷

焼入には、通常上記準備焼入温度のほぼ中心値を選んで材質、寸法、形状、要求される性能、焼入方法等に応じ数十秒ないし数分間保持します。
焼入条件は製品性能に大きく影響し焼入温度が高すぎたり、保持時間が長すぎたりしますと結晶粒の粗大化や靱性の低下をきたし、また脱炭の危険も増えますし、逆の場合は完全に硬化しなかったり、一部軟点を生じたりしますので適正な条件を選ばなければなりません。
冷却には一般に油または水が用いられます。水冷の方が油冷よりも硬く焼が入りますが焼入歪、焼われ等の危険があるため、みがき特殊帯鋼の場合は一部特例を除き、油冷が採用されています。焼入歪を防止するため油温を高めてマルテンパー処理を施したり、特殊な例では塩浴、金属浴中への焼入(オーステンパー処理)も行なわれています。
またリボン状の材料や単純な形状の場合は、定盤焼入やプレスクエンチング等が行なわれています。代表的な鋼種の焼入特性は次図の通りです。

焼戻

焼入を行なった材料は、要求される硬度がどのように高い場合でも、必ず焼戻を施さなければなりません。焼戻条件は、夫々の製品が要求する性能に応じ、テストやその鋼種の焼入焼戻性能曲線等を参考にして選びます。
みがき特殊帯鋼の場合、質量が小さくまた連続的な焼戻作業が行われることが多いので、焼戻時間としては特に粘り強さを必要とする場合に長時間焼戻を行なうこともありますが、一般には数分以内の短時間焼戻を行なっている場合が多いようです。また連続作業上、短時間しかとれない場合、焼戻温度をやや高目にしたり繰り返し焼戻を行なうこともあります。
しかし焼戻は、原則として高温短時間で行なうより低温長時間で行なう方が靱性が大きくなりますので、必要以上に焼戻炉を短かくしたり、焼戻温度を高くしすぎたり、時間を短かくしたりすることは避けなければなりません。
また油浴、金属浴、塩浴等により焼戻を行なう場合は、空中焼戻よりも時間を短縮することができます。
代表的な鋼種の焼入焼戻特性は下図の通りです。

焼鈍

材料の軟化や歪取りのため焼鈍を行なうことがありますが、この焼鈍温度としては600~700℃が適当です。温度が高すぎると組織が変化したり脱炭やスケール発生の危険が生じますので、一般にはやや低目の温度を選んだ方が無難です。保持時間は数分ないし30分位保持して徐冷しますが、徐冷は200℃位まで行ない、それ以下は放冷しても差し支えありません。

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發文者為 於 2010/01/29 英吋 Uncategorized

 

BW碳化矽再研磨奈米技術 www.tool-tool.com

碧威-航太1-a5dm

現今碳化矽是常被人們使用的非氧化物陶瓷材料,因為碳化矽具有比一般陶瓷還要良好的硬度、耐熱
性、耐氧化性、耐腐蝕性及高導熱性,所以近年碳化矽被廣泛應用在機械工程中的結構件和化學工程中
的密封件等,甚至運用在強酸、強鹼、高磨耗、高溫、航太等極端條件的環境。
碳化矽是一晶狀固體,其顏色決定於其所含雜質(有明亮之淺黃色、綠色或黑色)。碳化矽是一種化學物
質,分子式為 SiC,即碳原子對矽原子的比例為1。碳化矽包含了一些雜質,包括矽土、矽、碳、鐵及
鋁。碳化矽的許多商業用途乃看中其極高之熔點,其硬度及化學隋性。作 為一種耐高溫之物質,碳化
矽具有極大的抗熱能力,其導熱能力強而熱膨脹性低。
雖然有一些礦物中含有碳化矽,但是碳化矽一般都採用將矽土與石油焦炭作反應之較經濟的方式來生產
(矽土與焦炭係兩種普遍可得且經濟之原料)。
碳化矽具有各種等級。但是,產業界並不是完全對這些術語有確切之一致意見。結晶級碳化矽通常含有
遠在90%以上之碳化矽,而冶金級則含有85%至90%或更少。
“精煉"及“未精煉"之辭亦使用於該產業中,但是同樣的,其精確之意義卻不易被描繪出來,與其他
許多化學產品相對的是,精煉與未精煉碳化矽之分野主要是關於尺寸大小及尺寸之控制,而非關純度。
在此調查中,未精煉碳化矽被定義為“由鎔爐取出未經研磨、搗碎或其他精煉加工過程"之碳化矽,而
精煉碳化矽則被定義為“離開鎔爐後經過研磨,搗碎或其他加工過程"之碳化矽產品。
除了以上所描述最廣被使用的商用級產品外,另外還有若干高科技/特殊級之碳化矽是不在訴願的範圍之
內的,包括極細或細微尺寸之碳化矽,即其顆粒尺寸小於45 microns(一百萬分之一公尺)者。
碳化矽具有三種用量大之用途及許多其他用量低之用途。用量大之用途為冶金或鑄造之應用(煤球),研
磨料及耐高熱之應用。在冶金之應用中,主要是含鐵物之冶 金中,碳化矽充當碳及矽之供應者,充當
除氧還原劑,及充當一熱力之來源。在圓頂鎔爐中,即在鑄鐵之生產中,碳化矽期型上係以煤球之形成
加入鎔爐中,而在感 應爐中,碳化矽則典型上以顆粒方式加入。一般而言,在冶金的應用上對於碳化
矽之純度的要求較不嚴格。在冶金應用上,碳化矽與矽鐵產生競爭;對於這些替代品 之使用視其相對
價格而定。
在作為研磨料及耐高熱之應用前,碳化矽必須先被壓碎成顆粒狀,再經磁性處理以除去由碎磨輪中所產
生的鐵雜質,然後再使用篩選器小心過濾顆粒之尺寸。在研磨 料的應用上,顆粒尺寸之適當與否是非
常非常重要的,因為顆粒若太大會刮壞表面,而顆粒若太小則無法產生研磨的功用。碳化矽製成之碳化
矽係被使用以研磨非常 硬和/或非常軟的物質,尤其是一些屬於低張力之物質。可使碳化矽之物質包括
橡膠、塑膠、鑄鐵、大理石、瓷器、及鋁、銅、黃銅之非鐵合金。碳化矽研磨料可置於研磨輪中使用,
或以砂紙方式使用。以功能型態分,碳化矽研磨料之應用包括了噴砂研磨料,金屬線鋸研磨料,防滑研
磨料及磨光研磨料。
在抗高熱應用中,冶金級及結晶級碳化矽均可被使用。碳化矽可單獨使用或與耐熱劑連合使用。碳化矽
作為耐熱劑可被使用於焚化爐中,用於石灰窯之火磚中,以及 用於製鐵鎔爐之內牆中。碳化矽使用為
耐熱劑的一項特性是顆粒具有多種尺寸,即一般說的有分裂式(Split)之顆粒大小。
碳化矽亦可使用於電子業,用於核子之應用,用於高溫之應用,使用作為外皮覆蓋及作為一種混合劑。
常壓燒結碳化矽(S-SiC):
常壓燒結碳化矽是個僅次於熱壓燒結碳化矽(HP-SiC)的一種碳化矽產品,其機械性能也接近熱壓燒結碳
化矽,由於他的工藝性優於熱壓燒結碳化矽 ,製造成本也比熱壓燒結碳化矽低,適合大量生產及製造
複雜形狀的製品,完全符合機械密封、無軸封泵(屏蔽泵)、磁力泵等泵類的零部件的要求,因此,這是
目前國外普遍採用的碳化矽材料。
常壓燒結碳化矽是以α-SiC 晶體組成,體機密度能達到理論密度的98%以上(3.1g/cm3),密度是碳化鎢硬
質合金的1/5,碳化矽(密度:3.22 克/立方厘米 硬度:9.25)、硬度僅次於金剛 鑽,抗顆粒磨損的性能十分
優異,S-SiC 與石墨配對是目前使用PV 值最高的一對密封件,高純度的常壓燒結碳化矽(>98% SiC)能在
高溫下抗各類酸鹼等化工介質的腐蝕,S-SiC 的比強度極高,抗高溫氧化性能和高溫力學性能也十分優
良。
純度 100% 的碳化矽是透明無色的, 而純度99.5%左右的碳化矽是綠色的,隨著純度降低,顏色漸漸變棕
褐色,到純度98.5%左右就變成黑色了.
碳化矽是綠色的原因是含有少量雜質: 鐵, 隨著鐵與游離碳含量的增加顏色就會變深.
Green Silicon Carbide Typical Chemical Analysis
Total SiC 99.5%
Total SiO2 0.2%
Total Si 0.03%
Total Fe 0.04%
Total C 0.1%
Black Silicon Carbide TYPICAL CHEMICAL ANALYSIS
SiC 98.5%
SiO2 0.5%
Si 0.3%
Fe 0.08%
Al 0.1%
C 0.3%
碧威公司可幫客戶在研磨成奈米碳化矽歡迎來詢問~~

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發文者為 於 2010/01/27 英吋 Uncategorized

 

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現今碳化矽是常被人們使用的非氧化物陶瓷材料,因為碳化矽具有比一般陶瓷還要良好的硬度、耐熱
性、耐氧化性、耐腐蝕性及高導熱性,所以近年碳化矽被廣泛應用在機械工程中的結構件和化學工程中
的密封件等,甚至運用在強酸、強鹼、高磨耗、高溫、航太等極端條件的環境。
碳化矽是一晶狀固體,其顏色決定於其所含雜質(有明亮之淺黃色、綠色或黑色)。碳化矽是一種化學物
質,分子式為 SiC,即碳原子對矽原子的比例為1。碳化矽包含了一些雜質,包括矽土、矽、碳、鐵及
鋁。碳化矽的許多商業用途乃看中其極高之熔點,其硬度及化學隋性。作 為一種耐高溫之物質,碳化
矽具有極大的抗熱能力,其導熱能力強而熱膨脹性低。
雖然有一些礦物中含有碳化矽,但是碳化矽一般都採用將矽土與石油焦炭作反應之較經濟的方式來生產
(矽土與焦炭係兩種普遍可得且經濟之原料)。
碳化矽具有各種等級。但是,產業界並不是完全對這些術語有確切之一致意見。結晶級碳化矽通常含有
遠在90%以上之碳化矽,而冶金級則含有85%至90%或更少。
“精煉"及“未精煉"之辭亦使用於該產業中,但是同樣的,其精確之意義卻不易被描繪出來,與其他
許多化學產品相對的是,精煉與未精煉碳化矽之分野主要是關於尺寸大小及尺寸之控制,而非關純度。
在此調查中,未精煉碳化矽被定義為“由鎔爐取出未經研磨、搗碎或其他精煉加工過程"之碳化矽,而
精煉碳化矽則被定義為“離開鎔爐後經過研磨,搗碎或其他加工過程"之碳化矽產品。
除了以上所描述最廣被使用的商用級產品外,另外還有若干高科技/特殊級之碳化矽是不在訴願的範圍之
內的,包括極細或細微尺寸之碳化矽,即其顆粒尺寸小於45 microns(一百萬分之一公尺)者。
碳化矽具有三種用量大之用途及許多其他用量低之用途。用量大之用途為冶金或鑄造之應用(煤球),研
磨料及耐高熱之應用。在冶金之應用中,主要是含鐵物之冶 金中,碳化矽充當碳及矽之供應者,充當
除氧還原劑,及充當一熱力之來源。在圓頂鎔爐中,即在鑄鐵之生產中,碳化矽期型上係以煤球之形成
加入鎔爐中,而在感 應爐中,碳化矽則典型上以顆粒方式加入。一般而言,在冶金的應用上對於碳化
矽之純度的要求較不嚴格。在冶金應用上,碳化矽與矽鐵產生競爭;對於這些替代品 之使用視其相對
價格而定。
在作為研磨料及耐高熱之應用前,碳化矽必須先被壓碎成顆粒狀,再經磁性處理以除去由碎磨輪中所產
生的鐵雜質,然後再使用篩選器小心過濾顆粒之尺寸。在研磨 料的應用上,顆粒尺寸之適當與否是非
常非常重要的,因為顆粒若太大會刮壞表面,而顆粒若太小則無法產生研磨的功用。碳化矽製成之碳化
矽係被使用以研磨非常 硬和/或非常軟的物質,尤其是一些屬於低張力之物質。可使碳化矽之物質包括
橡膠、塑膠、鑄鐵、大理石、瓷器、及鋁、銅、黃銅之非鐵合金。碳化矽研磨料可置於研磨輪中使用,
或以砂紙方式使用。以功能型態分,碳化矽研磨料之應用包括了噴砂研磨料,金屬線鋸研磨料,防滑研
磨料及磨光研磨料。
在抗高熱應用中,冶金級及結晶級碳化矽均可被使用。碳化矽可單獨使用或與耐熱劑連合使用。碳化矽
作為耐熱劑可被使用於焚化爐中,用於石灰窯之火磚中,以及 用於製鐵鎔爐之內牆中。碳化矽使用為
耐熱劑的一項特性是顆粒具有多種尺寸,即一般說的有分裂式(Split)之顆粒大小。
碳化矽亦可使用於電子業,用於核子之應用,用於高溫之應用,使用作為外皮覆蓋及作為一種混合劑。
常壓燒結碳化矽(S-SiC):
常壓燒結碳化矽是個僅次於熱壓燒結碳化矽(HP-SiC)的一種碳化矽產品,其機械性能也接近熱壓燒結碳
化矽,由於他的工藝性優於熱壓燒結碳化矽 ,製造成本也比熱壓燒結碳化矽低,適合大量生產及製造
複雜形狀的製品,完全符合機械密封、無軸封泵(屏蔽泵)、磁力泵等泵類的零部件的要求,因此,這是
目前國外普遍採用的碳化矽材料。
常壓燒結碳化矽是以α-SiC 晶體組成,體機密度能達到理論密度的98%以上(3.1g/cm3),密度是碳化鎢硬
質合金的1/5,碳化矽(密度:3.22 克/立方厘米 硬度:9.25)、硬度僅次於金剛 鑽,抗顆粒磨損的性能十分
優異,S-SiC 與石墨配對是目前使用PV 值最高的一對密封件,高純度的常壓燒結碳化矽(>98% SiC)能在
高溫下抗各類酸鹼等化工介質的腐蝕,S-SiC 的比強度極高,抗高溫氧化性能和高溫力學性能也十分優
良。
純度 100% 的碳化矽是透明無色的, 而純度99.5%左右的碳化矽是綠色的,隨著純度降低,顏色漸漸變棕
褐色,到純度98.5%左右就變成黑色了.
碳化矽是綠色的原因是含有少量雜質: 鐵, 隨著鐵與游離碳含量的增加顏色就會變深.
Green Silicon Carbide Typical Chemical Analysis
Total SiC 99.5%
Total SiO2 0.2%
Total Si 0.03%
Total Fe 0.04%
Total C 0.1%
Black Silicon Carbide TYPICAL CHEMICAL ANALYSIS
SiC 98.5%
SiO2 0.5%
Si 0.3%
Fe 0.08%
Al 0.1%
C 0.3%
碧威公司可幫客戶在研磨成奈米碳化矽歡迎來詢問~~

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發文者為 於 2010/01/27 英吋 Uncategorized

 

温度勾配型加熱装置(TGF)2 www.tool-tool.com

碧威信封-背面~1

7.2.2 フライト実験

7.2.2.1 試 料

カートリッジの形状、ゲルマニウム試料及びその封入に用いた石英管とも地上実験のものと同一ロットのものである。ただし、封入用キャップだけは手持ちが切れたため、異なるロットで直径が0.5[mm]ほど小さいものを使用している(実験への影響は無いとしてよい)。
なお、フライト試料は2本準備し1本はバックアップとし、打ち上げ前試料の最終点検装着時に試料(ゲルマニウム)の外観、及び接着剤の施工状態からより良好な1本を選定した。

また、7.2.1.4項(3)に示したとおり、地上実験時のベーキング温度(700℃)がやや高すぎる懸念があったため、フライト実験用試料は400℃でベーキングを行った。

7.2.2.2 実験装置

(1) 機能ブロック

TGFサブシステム、炉体部、試料部の外観をそれぞれ図7.2-11図7.2-12図7.2-13に示す。また、TGFの機能ブロックを図7.2-14に示す。電力の供給源は2台のバッテリであり計測制御装置は制御温度に基づいた電力の制御及びシーケンスに沿ったコンポーネントの制御を行っている。また、取得した実験データ(温度データ、電力データ)はテレメトリデータとして実験支援系に送られ、ロケット系を介してダウンリンクされる。なお、その場観察はCCDカメラにより行われ、画像はVTRテープに記録される。

(2) 配管系統

TGFの配管系統を図7.2-15に示す。炉体部の中には冷却室があり低温部を独立して冷却できるよう仕切られていている。真空排気する際には真空弁(VV61)と電磁弁(SV62)を開くことにより炉体部内が真空排気される。試料の冷却を開始する際は冷却室にHeガスを封入し(SV61開)、また、炉内全体を冷却する場合はSV61およびSV62をともに開にすることにより炉内全体にHeガスを封入する。

(3) 加熱室

TGFの加熱室は炉心管、ヒータ及びゴールドミラー管から構成されておりゴールドミラー管を通し、高温でのその場観察ができるようになっている。
ゴールドミラー管は石英管の表面に薄くゴールド(Au)をコーティングしたものでありゴールドの薄膜は光の赤外域は反射し、可視域は透過するという性質を利用して加熱と観察の双方を達成している。本実験では試料の温度が高く自ら発光するので照明を使用しなくても十分観察できた。


図7.2-11 TGFサブシステム外観  


図7.2-12 炉体部外観  


図7.2-13 試料部外観  


図7.2-14 TGF機能ブロック  


図7.2-15 TGF配管系統  

7.2.2.3 実験条件

(1) 地上加熱

本実験では地上実験の結果から試料(ゲルマニウム)融解開始までに5分間を要することが分かり、また、微小重力での融解を行うため融解開始時刻を打ち上げ後70秒(X+70秒、おおよそ微小重力環境が達成される時点)に設定したので、打ち上げ前の230秒(X-230秒)から地上加熱するよう設定した。
また、打ち上げ前50分に真空排気装置は撤去されてしまうため、宇宙で真空排気を再開するまで炉内の真空を維持しなければならず、真空度劣化による昇温速度への影響が心配されたが、1gリファレンス実験及び打ち上げ前準備作業で真空が維持できることを十分確認してきており、当日は打ち上げ前(カウントダウン時)加熱開始から実験期間中、試料温度をモニタしTGF炉内真空度に異常がないことを確認した。
打ち上げ前に真空度が悪化することにより試料温度が予定通りに上昇しない場合は当日の打上げを中止することとしていたが、試料温度は予定通りに昇温し問題なく実験は行われた。

(2) 実験プロファイル

X-230秒でTGF実験準備信号を実験支援系から受けることによりTGFは加熱を開始する。その後、地上加熱を経て打ち上げられ、約X+70秒で融解が開始するよう計画した。また、X+190秒まで最大電力(400W)を投入し続け、その後、電力を3W/秒ずつ減少させることにより試料(ゲルマニウム)を融解凝固する。CCDカメラによる観察はX+65秒からX+451秒まで行われ融解凝固過程をVTRに収録する。
本実験の実験プロファイルを図7.2-16に示す。


図7.2-16 実験プロファイル  

(3) 温度計測・制御

投入電力はヒーター近傍に装着した熱電対で計測した温度を制御温度としてファジー推論により制御する。本来TGFは高温室、低温室の両ヒーターを制御可能であるが、実験条件から高温室のみの制御とした。
また、試料温度(石英製カートリッジ側面温度)を熱電対により4点計測し、試料の温度分布及び試料の温度勾配を求めた。(図7.2-13参照)

7.2.2.4 打上げ前準備作業

TGFは打上げ前準備作業として次の項目を実施し、フライトできる状態であることを確認した。

(1)フライトテープ装着

(2)フライト試料点検及び装着

(3)漏洩試験

(4)ベーキング

(5)真空放置試験

(6)コネクタ固着

(7)バッテリ補充電

上記項目のうち(5)真空放置試験については、初め真空維持の条件(真空引き終了から110分の真空放置で真空度が10-2[Torr]台より高真空)が満足できず、リーク箇所をチェックした結果、試料装着部のフランジから非常に微量のリークが発見された。
当該部分は構造上、改修が困難であったのでシール用接着剤による真空シールの処置を施すこととし、最終的に真空維持の条件を満たすことができた。
その他の項目については準備作業を予定通り終了し、TGFは正常であることを確認した。

7.2.2.5 実験シーケンス

TGF2号機の実験シーケンスを図7.2-17に示す。


図7.2-17 実験シーケンス  

7.3 実験結果

7.3.1 地上実験及び1gリファレンス実験

7.2.1.2 項に示した予備実験の結果、試料は融解量が外観で約20mm(試料中心部は約15mm)で一方向凝固できる(アンプルが割れない)見通しを得た。
1gリファレンス試験においてもカートリッジ及び封入石英管に破損はみられなかった。ゲルマニウム結晶は高温端の一部がカーボンシート側にはみ出し僅かに欠けていた。また壁面との接触によって多結晶化するだろうとの予想に反し単結晶になっていた。融解量は約15[mm]である。図7.3-1に縦割り断面を示す。下側に木の根状の構造が見られるが原因は不明である。また液面の縁の部分から多くの転位が導入されている。


図7.3-1 1gリファレンス試料縦割断面図で左側が種結晶側 重力は図中で下向き  

また、実験装置は1gリファレンス試験でフライトシーケンスが正常に実行され、テレメトリデータ及びVTR画像ともに良好に取得できたことを確認した。

7.3.2 フライト実験

実験後の試料及びカートリッジの外観を図7.3-2に示す。カートリッジに異常は認められなかったが、内部のゲルマニウム封入管に試料高温端付近より斜めに亀裂が入っているのが認められた。石英管と試料ゲルマニウムの固着はなく、試料取り出しは容易であった。固化膨張にともなう内部からの融液の吹き出しは僅かしか認められなかったことから固化時の体積膨張の可能性も低い。まだ確実なことは言えないがこの割れは冷却時の石英とゲルマニウムの固着によるものではないかと思われる。また試料高温端で試料が一部欠けているのが発見された。これは上記の管の破損と同時に起こったと考えるのが妥当である。
成長と同時に撮影されたビデオ映像では界面の移動が明瞭にとらえられている。これは液体と固体で放射率が違うことに基づく。ただし成長の終期においては試料の温度が下がり、放射が少なくなるので界面は明確でない。
高温端の端部の形状はほぼ軸対称になっており、地上で試料管を縦に配置して行った場合の固化後の形状と類似している。一方成長部分の中間の部分では融液があたかも重力が働いたかのごとく片側に流れてきており非対称形状になっている。チェルノフ等の実験では成長部分は電球を細長くしたような軸対称の形状をしておりこの点で顕著な違いを示している。
この試料を図7.3-3のように切断し、成長方向の断面と成長方向に垂直な面で輪切りにした面の観察を行った。エッチング後の断面観察の結果(図7.3-4)から、試料は先端より約7[mm]が融解したことがわかった。これは地上実験時の融解量(15[mm])に比べて少ない。これは、ベーキング時の温度が地上実験に比べて低かったために、加熱時にガスが放出されこのガスによってヒーターから試料以外の部分に熱が逃げたと考えられる。加熱時のプロファイルを見ても立ち上がり時は地上実験に比べて温度の上がり方は速いが、700℃付近で逆転されていることから推察される。しかし、これ以外の理由として融液内での対流の停止のため地上に比べ熱が固液界面まで運ばれる速度が低下したことも一因と考えられる。

融解完了直後の界面形状は地上実験の時に比べて丸みをおびており、またより軸対称に近い。


図7.3-2 試料融解部分外観  


図7.3-3 試料切断法  

融解部分を完全に含むように先端を切り離し縦に二つに割る。一方を断面観察用にし、他方はさらに輪切りにして面内の転位を見る。この他に未融解部分を一部切り出した。 寸法でカッコ内は地上試料のもの。


図7.3-4 フライト実験試料縦割断面画面右側が種結晶側下が管に亀裂の入った側  

7.3.3 転位密度分布

地上実験、フライト実験の双方について、未融解部分の一部(融解部分より約2[cm]離れた箇所)をとり、転位密度の評価を行ったところそれぞれ4×103[cm-2]、5×103[cm-2]で差はなく、またいずれの試料も面内の転位の分布はほぼ一様であった 一連の試料アンプル作製プロセスを行う前の転位密度を評価するため、試料棒を切り出した残りの材料の転位密度を調べたところ5×102[cm-2]台であり加熱融解によってやや転位は増えていることがわかる。
それぞれの試料を高温端から2mm毎に輪切りにし、各切片の中心付近における転位密度を調べた。結果を図7.3-5に示す。いずれの試料も成長部分の転位密度は種結晶に比べて増加している。また、1gリファレンス実験と比較してフライト実験試料の方が全体に転位密度が高めである。いずれの試料についても成長の終期において周囲に比べ転位が減少している部分がみられた。これが急速成長の効果によるものかについては更に詳しい検討が必要である。


図7.3-5 フライト実験、地上実験各試料の転位密度分布試料中心付近での平均値。エラーバーは標本の最大と最小を示す。  

7.3.4 考 察

今回の実験の目的の一つは、チェルノフ等の用いた燃焼加熱のかわりにより穏やかでかつ制御された加熱方法として熱容量の少ないゴールドミラーを用いた抵抗加熱を用いることである。制御装置(電力アンプ)の能力不足から思ったほどの加熱が得られず、本フライト実験ではたかだか7mmしか融解しなかったことは残念であったが、この加熱方法によって引き起こされる熱歪のために導入される種側の転位は、燃焼加熱に比べ圧倒的に少なく後者が105~106[cm-2]であったと報告されているのに比し、本実験では融解したところから種側に2cm入ったところで103[cm-2]台と低い値であった。このことから抵抗加熱を採用した意味は大きかったと考えられる。
実験の次の目的は、融解、成長過程において固液界面が移動する様子を直接テレビカメラでモニターし、成長速度を決定できるかどうかを調べる点であった。融解長が当初の予定よりはるかに短かったため、固液界面がカメラの視野のごくはじの方にしか存在せず多少見えにくい点もあったが、融解及び成長の様子をその場でみることができ、融解・成長速度がともに6mm/分であることが測定された。
種結晶と成長結晶の界面はエッチング法により明瞭に観察できる黷Iに図7.3-6に示すが、この界面は地上成長と微小重力下の成長では大きく異なる。地上結晶では界面はほぼ平面状であるが、管壁に接する部分は種側に大きく下回っている。一方、微小重力下での結晶の界面は、結晶の長手方向の中心平面に対しほぼ円筒対称となっており液側に大きく凸となっている。この形状は計算機シミュレーションで得られた形状に良く一致しており、現在詳しい比較を行っている。
次の問題はフライト実験においてみられた融液と石英ガラスとの固着である。ビデオでもはっきり観察されたが、融解時ゲルマニウム結晶全体が高温部に引きずられ移動する現象がみられた。フライト実験の結晶をみると融解部はアンプル管と同じ形状をしており、これは融解時に融液がアンプル管全体にわたり密着していたことを示す。地上実験でのたて型炉における成長実験では凝固終了後の形状が上に凸になっており、これはゲルマニウム融液と石英が”ぬれ”ていないことを示している。従って本来的には濡れ性の悪いものがフライト実験においては濡れていたことを示す。もう一点気がついたことは、アンプル管内でクッション材として用いたカーボンシートがゲルマニウム融液に強く固着し、成長結晶から容易にはとれない程付着していた点である。カーボンは、もともとゲルマニウムとは濡れ性が悪く、それ故地上でのボート材としても用いられている。しかし、今回カーボンシートがゲルマニウムに強く付着していることから何らかの原因があり、これが同様にゲルマニウムと石英管との固着をもたらしたものと考えられる。
この原因については推測の域をでないが、カーボンシートに吸着されていた微量の水分ではないかと考えられる。これについては追加実験を必要とするが、ゲルマニウムが水分により酸化され石英管と固着した可能性がある。地上でフライト実験と同じアンプル管により成長された場合には、融液は重力によって下に押しつけられているので試料は移動が困難であり、フライト実験のように管内壁全体に密着するようにはならなかった。このためこの固着という問題は地上でははっきりとはみられず、フライト実験において初めて見いだされたといえる。いずれにしてもこの固着現象を解明することが今後の課題である。


図7.3-6 固液界面形状  

今回の実験では以上述べた固着という現象のため、急速成長による転位の劇的な低減化はみられなかったが、結果として次のようなことがいえる。

(1)フライト実験試料、地上実験試料とも成長部分は種結晶に比べ2桁近く転位が増加し105[cm-2]の程度であった。転位の発生についてみると、壁面からの転位の導入がより多いが内部でも増えている。成長開始時の界面は融液側に凸であるが成長が進むにつれ凹に転じた痕跡もあり界面形状の影響もあると思われる。融解しなかった部分でも転位が増殖し成長界面近くでは転位密度は105[cm-2]台にあった。フライト試料で低温側で外周だけが融解した部分では転位は更に多く、この転位が未融解部分にまで入り込んでいる様子が明瞭に観察された。
フライト試料、地上試料ともに主に壁面から多くの転位が導入されているが両者の間には若干の差がある。フライト試料では前述の管に亀裂の入った側で転位密度が非常に高く、106台後半から107[cm-2]台に達している。しかしこの部分を除いては壁面からの転位の導入はあるものの地上試料に比べて少なく、特に亀裂と反対の面では管との接触があったにも関わらず、転位の導入はほとんどない。一方、地上成長試料では融液の自由表面部からの転位導入はほとんどないが、壁面と接触した部分からは相当転位が入っており特に融液表面の縁の部分からは107[cm-2]台の転位が入っている。フライト実験試料にもこのような縁はあり転位の導入もあるが、少ない。
(2)フライト実験試料において融液が片側に寄り非対称形状を示し、チェルノフ等の実験と大きく異なっている。これは、断面すべてにわたって溶解した部分では見られず、外周のみ溶解した部分でだけ見られた。この原因は融液と石英管の固着にあり、結晶が融液に引き込まれたあと固化する時に片寄りが発生したものと考えられる。
(3)石英とゲルマニウムは本来濡れ性は悪いが、既に述べたゲルマニウムと石英の固着現象のため融液が石英管の内壁いっぱいに広がり温度降下時熱膨張差により石英管に亀裂を残し結晶に転位の導入を招いたものと考えられる。

(4)真空弁、気泡注入装置等の作動に伴い発生するg-ジッタが結晶成長に及ぼす影響について考える。融体中に流れを引き起こすのは低い周波数のg-ジッタである。上記のg-ジッタは比較的高い周波数であり、結晶成長に及ぼす影響は高次の効果であると考えられる。今回の実験結果から見る限りg-ジッタが結晶成長に及ぼした影響は明確ではなく、今回の実験計画ではその影響を無視できると思われる。

7.3.5 実験装置フライト結果

7.3.5.1 フライト結果

本項では実験装置からみた実験結果として「実験シーケンス」と「温度プロファイル及び電力プロファイル」をまとめて示す。実験装置の機能としては正常に作動し良好な結果を得ることができた。

(1) 実験シーケンス

実験中に発生したイベントを表7.3-1に示す。
各イベントは計画通り発生していており実験装置はフライト中正常に作動したことが確認できた。

(2) 温度プロファイル及び電力プロファイル

加熱開始(打ち上げ前230秒)から実験終了までのプロファイルを1gリファレンス時のプロファイルと比較をして示す。

A.試料温度プロファイル

試料カートリッジに固定した熱電対温度プロファイルを図7.3-7に示す。[試料温度1(高温側)と試料温度4(低温側)を示す](カートリッジの温度測定位置は図7.2-13参照)どちらの温度もフライトデータと1gリファレンスのデータは良く合っている。ただし、試料温度1はX-230秒(加熱開始)からX-130秒付近までフライトデータが1gリファレンスデータよりも上回っていて、逆にX-30秒からX+80秒までは若干フライト時の温度の方が1gリファレンス時の温度よりも下回っている。
フライト時と1gリファレンス時で試料温度1が変化したのは、これまでのデータから見て、炉内の真空度が変化したためと考えられる。真空度が変化する要因としては、環境の違い(振動荷重の有無)、コンフM戟[シ唐痰iMGESへの組込み状態と、装置単位との違い)、試料部の違い(ベーキング温度の違い)が考えられるが次の理由により試料部(ベーキング温度)の違いによる影響が最も大きかったと考えられる。

a.炉体部単体で加熱状態(真空状態)で振動試験を実施しており、このとき真空度の悪化はみられなかったので打ち上げ時の振動荷重で真空度が悪化した可能性は小さい。

b.真空維持の状態はMGESに搭載されている時とTGF単体の時でTGFから考えると同じコンフィギュレーションであり、打ち上げ時のコンフィギュレーションが真空度を悪化させる要因とは考えられない。 

c.1gリファレンス用試料のベーキングは700℃、2時間で実施したがフライト用試料は400℃、4時間で実施した。このためフライト時は400℃以上に加熱された時点でアウトスが発生したものと考えられる(図7.3-7の現象と合致)また、加熱初期時に真空度が良かった原因は打上げ前の真空維持時間が短かったため
(1g時2時間に対してフライト時は約46分)と考えられる。

上記考察の結果、アウトガスが試料温度1のプロファイルに影響を与えたものであると推定できる。試料温度4にも同様の理由により若干温度差があったものと考えられる。また、X+80秒以降で試料温度1及び試料温度4の温度はほぼ1gレファレンス時に漸近し、試料温度1の最高到達温度はフライト時が1047.4[℃]、1g時が1047.2[℃]であった。

B.試料温度平均温度勾配プロファイル

試料温度1と試料温度4の間の平均温度勾配を図7.3-8に示す。温度勾配は試料温度1と試料温度4間の平均値を表している。温度勾配についてもフライト時と1gリファレンス時は良く合致している(最大差3℃/cm)。

C.ヒータ温度プロファイル

高温室ヒータ近傍に装着した熱電対温度(ヒータ温度1)及び低温室ヒータ近傍に装着した熱電対温度(ヒータ温度2)のプロファイルを図7.3-9に示す。ヒータ温度もカートリッジ温度と同様に炉内真空度の影響を受け、フライトデータと1gリファレンスデータとで若干温度差がみられた(ヒータ温度1は最大26℃、ヒータ温度2は最大10℃)。ヒータ温度1及びヒータ温度2はヒータの近傍(真空中)の温度を計測しているため真空度が悪化すると回りの高温部(ヒータ等)からアウトガスによる熱伝導で熱が入り温度が上昇するものと考えられる。従って真空度が悪化したフライト時の方が高目に出ている。

D.投入電力プロファイル

高温室ヒータに投入された電力プロファイルを図7.3-10に示す。投入電力はフライト時と1gリファレンス時で一致している。
本実験では低温室ヒータに電力は投入していない。

表7.3-1 TFGシーケンス 

No.
シーケンス項目
期待値
測定値
判定
備考

1
実験準備コマンドON
X-230.0付近
X-230. 0
OK
No.1は手動による操作
No.2, No.3,No.6はBUSからのコマンドをTGFが認識した時刻である。
それぞれについてBUSがコマンドを出した時刻は、X+60.1,X+65.1,X+80.1であり、いずれも0.1秒遅れ(正常)であるTGFはNo.3の実験準備信号をトリガーに作動開始する。
No.4,No.5(CCD/VTR ON)は、No.3実験準備0Nから0.8秒の遅れである(正常(*1))。以降のTGFの各イベントも0.8秒遅れで発生している。
(*1)
ソフトウエア上、TGFはNo.3の実験準備0N(X+65.2)を受け即座に作動開始しようとするがフィルタリング、及ひモード遷移の関係で0.2~1.2秒遅れるのが正常である。

2
実験準備コマンド OFF
X+60.2
X+60.2
OK

3
実験準備コマンド ON
X+65.2
X+65.2
OK

4
CCDカメラ ON
X+65.4±
X+66.0
OK

5
VTR ON
X+65.4±
X+66.0
OK

6
実験開始コマンドON
X+80.2
X+80.2
OK

7
SV63 開
X+80.4±
X+81.0
OK

8
真空弁アンサ 開
X+80.4±
X+81.0
OK

9
SV63 閉
X+83.4±
X+84.O
OK

10
音声イネーフル ON
X+1OO.4±
X+101.0
OK

11
SV61 開
X+250.4±
X+251.0
OK

12
SV61 閉
X+255.4±
X+256.0
OK

13
SV64 開
X+4OO.4±
X+401.0
OK

14
真空弁アンサ 閉
X+400.4±
X+401.0
OK

15
SV64 閉
X4O3.4±
X+404.0
OK

16
実験準備コマンド OFF
X+441.4±
X+442.0
OK

17
実験開始コマンド OFF
X+441.4±
X+442.O
OK

18
CCDカメラ OFF
X+451.4±
+452.0
OK

19
VTR OFF
X+451.4±
X+452.0
OK

20
音声イネーブル OFF
X+451.4±
X+452.0
OK

21
TGF OFF
X+530.4±
X+531.0
OK


図7.3-7 試料温度プロファイル  


図7.3-8 試料温度勾配プロファイル  


図7.3-9 ヒータ温度プロファイル  


図7.3-10 投入電力プロファイル  

(3) 画像データ

VTRに記録した画像データは正常であり、以下に示す項目を確認することができた。

・試料の融解凝固過程を観察でき固液界面の移動速度を確認できた。

凝固時の固液界面の移動速度を表7.3-2に示す。

・試料全体の観察により実験中に試料が5回若干量動く(未融解部分が融液中に引き込まれる)という予想外の挙動を観察できた。

試料未融解部分が引き込まれた時刻

X+140秒

X+165秒

X+172秒

X+180秒

X+190秒

表7.3-3に示すように、この挙動はフライト中に発生したg-ジッタとは特に関係がないと考えられる。

・光学部(レンズ)は焦点、露出とも良好であった。(打ち上げ時の振動によるずれはなかった)

・時刻認識用の音声(1kHz)信号は予定通り記録されていた。

得られた画像データ例を図7.3-11に示す。

表7.3-2 固液界面移動速度 

時刻[秒](*)
固液界面移動速度

X+240(凝固開始)
—–

X+240~X+265
約6[mm/分]

X+265~X+295
約6[mm/分]

X+295~X+325
約6[mm/分]

(*)打ち上げ時刻がX+0

表7.3-3 g-ジッタの発生 

時間
X+(SEC)
振幅(P-P) (mg)
イベント
備考

X軸
Y軸
Z軸

64.0
4.8
4.8
1.5
1段モニタ分離

64.5
3.0
ISPレンジ切り替え

70.3
0.9
1.1
2.2

71.4
3.8
6.3
6.3
RCS作動

73.4
0.6
0.9
2.4
BDH M2 モータ停止(74.1)

75.2
4.1
2.2
6.3
BUS VV01(真空弁)開

78.2
0.2
0.1
0.3

79.5
3.4
6.0
3.3
BDH M2モータFWD

80.7
0.5
1.0
0.9
[HTF VALVE ON(80.1)]
μ-g 実験開始

80.9
6.2
6.3
5.5
TGF VV61(真空弁)開

83.9
0.2
0.2
TGF SV-63閉(84.0)

92.3
0.5
0.5
1.8
BDH M2モータFWD

93.5
0.3
BDH M2モータSTOP(93.4)

150.3
0.5
0.6
1.8
BDH M2モータ

152.8
0.1
0.1
0.4
BDH M2モータSTOP(152.8)

166.2
0.4
0.7
1.7
BDH M2モータFWD

169.3
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

169.6
0.5
BDH M2モータFWD

178.6
0.4
0.3
0.3

185.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

186.6
0.3
BDH M2モータSTOP(186.4)

194.9
0.4
0.3
0.3

221.4
0.4
0.3
0.4

236.4
0.2

243.2
0.6
0.6
1.9
BDH M2モータFWD

245.5
0.4
0.3
0.4
BDH M2モータSTOP(245.7)

245.8
0.4

250.9
0.3
0.3
TGF SV61閉(251.0)

251.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

254.3
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

254.6
0.4
BDH M2モータFWD

255.9
0.1
0.2
TGF SV61閉(256.0)

269.2
0.4
0.3
0.4

270.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

271.5
0.1
0.3
BDH M2モータSTOP(271.4)

284.9
0.1
0.3
0.4

291.4
0.4
0.3
0.4

319.3
0.4
0.3
0.4

328.2
0.6
0.7
2.0
BDH M2モータFWD

330.8
0.4
BDH M2モータSTOP

334.4
0.3
0.4

339.3
0.1
0.3

344.2
0.5
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

347.2
0.5
0.5
1.3
BDH M2モータFWD

347.6
0.4
BDH M2モータSTOP

363.2
0.5
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

366.2
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

366.6
0.4
BDH M2モータFWD

372.9
0.4
0.3
0.3

382.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

383.4
0.3
BDH M2モータFWD

400.8
6.2
6.3
6.0
TGF VV61(真空弁)閉
TGF SV64開(401.0)

403.9
0.2
0.2
TGF SV64(404.0)

406.6
0.4
0.4
0.4

437.8
0.4
0.3
0.4

439.2
0.3
0.5
1.5
BDH M2モータFWD

439.9
0.7
0.8
2.1
BDH M2モータSTOP


図7.3-11 画像データ  

7.3.5.2 フライト後点検結果

2号機フライト後に実施したTGF分解点検結果を表7.3-4に示す。また、結果概要を以下に示す。

(1) サブシステムとしての確認

実施した項目は次のとおりである。

・外観目視検査

・導通絶縁検査

・フライトシーケンス試験

結 果

異常無し。

(2) コンポーネントとしての確認

実施したコンポーネントはつぎのとおりである。

・炉体部組立

・真空弁

・電磁弁

・バッテリ

・CCDカメラ/VTR(*)

・計測制御装置(*)

(*)CCDカメラ/VTR、計測制御装置はサブシステム試験で確認した。

結 果

異常無し。

ただし、バッテリの内部結線チェックの際にバッテリの電圧が規定値を下回っていた。(その後の充放電試験の結果、機能に異常の無いことが確認された。)

表7.3-4 フライト後点検結果 

点検項目
内容
規格
結果

サブシステム
(1)外観目視検査
温度勾配型加熱装置の外観を目視にて検査し異常の無いことを確認する。
異常の無いこと

(2)ハーネスの導通絶縁検査

TGCハーネスの導通絶縁測定を行う

異常の無いこと

ヒータ及び熱電対の導通絶縁抵抗を測定する
異常の無いこと

(3)フライトシーケンス試験
電力分配を行い、電源供給ラインに規定の電圧がかかることを確認する
規定の電圧がかかること

非加熱状態でフライトシーケンス試験を行う
シーケンスが正常に流れ、VTRテープに画像・音声が正常に記録されていること

(4)真空排気試験
真空排気を行い、炉体部及び配管に漏洩が無いことを確認する
規定の真空度に到達すること

各コンポーネント
(1)炉体部組立
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

各サブ組立に分解し、外観を目視検査する
異常の無いこと

(2)計測制御装置
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

(3)真空弁
外部漏洩、内部漏洩検査を実施する
漏洩量が規定値内に入っていること

(4)電磁弁
外部漏洩、内部漏洩試験を実施する
漏洩量が規定値内に入っていること

(5)バッテリ
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

内部結線を導通絶縁検査により確認する
異常の無いこと
(注)

(注)制御装置の漏れ電流により、バッテリが定格容量以上に消費されていた。
   その後の処置により、バッテリに問題がないことを確認した。

7.3.6 共通実験支援技術

TGFの開発項目と習得した共通実験支援技術を以下に示す。

(1) 開発項目

a.炉体部

以下のアイテムを開発することにより、ゴールドミラー管を用いた温度勾配炉の採用が可能となり、高温状態の試料を直接観察することができた。

・観察性、耐振性を考慮したヒータの開発

・耐振性、耐真空性、耐熱性を考慮したゴールドミラー管の開発

b.計測制御装置

小型軽量化及び制御ソフトウェアの開発により実験条件を満足することができた。

c.試料部

耐環境性を有し、温度計測要求を満足した石英ガラス性カートリッジの開発、及び温度勾配を考慮した試料部組立を開発することにより実験要求を満足できた。

d.観察系

ゴールドミラー管を通して、試料の融解凝固過程を直接観察記録することができた。

(2) 共通実験支援技術の習得

A.温度測定及び温度制御技術

a.熱電対による石英製カートリッジ温度の計測

試料カートリッジの温度計測方法に対して、次の条件を考慮して、測定方法を確立した。

[条件]

・真空環境であり、高真空を保たなければならない。(使用材料の脱ガス制限)

・打上げ時の荷重がかかる。(熱電対の固定方法に対する強度要求)

・計測の対象がガラスである。(透過性物質)

確立した項目は次のとおりであり、上記課題を全てクリアし、再現性のある石英製カートリッジ温度を計測する技術を習得することができた。

・真空環境、振動環境、高温環境に耐える接着剤の選定。

・熱電対先端位置を固定するためにカートリッジ表面に、ガラス性の“ポケット”を加工。

・接着剤の量をコントロールすることにより、良好な温度の再現性を達成。

b.温度制御技術

ゴールドミラー管を用いた加熱炉は、観察ができるといった大きなメリットがあるが、熱的な効率からみると金属加熱炉には劣る。このデメリットをおぎなうために次の工夫を行うことにより、熱的改善を試み、半導体の融液成長実験という高温実験に適する装置とした。

・ゴールドミラー管の金コーティングの厚さを調整することにより、管の反射率を上げ、熱的性能を向上させた。

・ゴールドミラー管の端からの熱の逃げを防ぐ構造とした。

B.その場観察技術

炉体部にゴールドミラー管を採用することにより、試料の融解、凝固過程を直接観察することができた。
ゴールドミラー管の金コーティングの厚さは観察性を左右し、コーティングが薄いほど観察性は良好となるが、加熱性能が低下する。
TGFの開発では、観察要求及び加熱性能の双方を満足するようにコーティング厚さを調整する方法を確立できた。

C.高温処理技術

a.真空中で高温に耐えるゴールドミラー管の開発

TGFのゴールドミラー管は高温での使用と強度を考慮して、石英ガラスに金コーティングを施している。石英ガラスへの金コーティングは他に例がなかったが、コーティング工程を確立することにより、高温環境、振動環境で安定して使用できるゴールドミラー管を開発することができた。

b.高温での耐振性のある石英ガラス性カートリッジの開発

2号機実験では地上加熱を実施するため、高温(約900℃)での振動に耐えるカートリッジを開発する必要があり、寸法(管厚等)、形状(管と管との接合方法)、支持方法を工夫することで要求を満足することができた。

c.実験条件を満足した温度制御の達成

ダミーの試料(Si3N4)を用いて次の性能を達成できた。

・温度勾配 38.5[℃/cm]以上

・温度変動度 ±1.4[℃]以下(at 1000℃)

また、実試料を用いた時は、高温側にカーボンロッドを装着するなどの工夫を行い、一時的に約60[℃/cm]程度の温度勾配を実現し、実験条件を満足することができた。

d.ヒータ温度を用いたファジー制御

TGF2号機では、ヒータ温度の制御にファジー制御方式を採用した。

(2号機実験では低温側ヒータは使用しないため、1chのみ加熱制御)

ファジー制御方式は、非線形なプロファイルを作るのが容易であり、本実験では電力を非線形に制御することを考えて採用し、予想通りの成果が得られた。

以下にファジー制御方式の特性をPID制御と模式的に比較した図を示す。


図7.3-12 ファジー制御の特性  

D.材料と容器の適合性評価技術

本実験では融解時にゲルマニウム結晶全体が、高温部に引きずられる現象がみられた。これは、融解時に融液がアンプル管全体に渡り密着し、試料の表面張力により未融解部分が引きずられたものと考えられる。本来、ゲルマニウムと石英ガラスはぬれ性が悪いことが知られており、1gリファレンス実験等、地上実験ではぬれ性が悪いことを示す結果を得ていたので原因は特定できないが、アンプル内にゲルマニウムと一緒に封入したカーボンクロスが何らかの悪い影響を与えた可能性が推定される。
今回の結果を教訓に、今後、サンプルの封入に当っては、次の点に留意していく。

a.材料を容器に装着する時には装着の条件を十分検討する。

(材料の洗浄、ベーキング等の処理条件)

b.材料と容器とは何らかの方法により、固定することを第一に考える。

E.微小重力の擾乱による影響評価技術

図7.3-13に示すNASA文献をもとに半導体成長実験に対する加速度の影響を調 査した。実験中にTGFで発生するg-ジッタは真空弁及び電磁弁の開閉に伴うものであり、大きさが最大数10[mG]、周波数が260[Hz]付近であることを試験で確認した。従って、本g-ジッタは図7.3-13を考慮すると、本実験にほとんど影響を与えないことがわかった。


図7.3-13 g-ジッタの実験に対する影響  

7.3.7 実験装置

実験装置は本実験を実施する上で滞りなく機能した。ただし、打上げ前の地上加熱を行う上で、炉内の真空維持について議論があったので、背景と真空維持の必要性を以下に示す。

背景

小型ロケットの実験では、実験時間は6分間と短いため、今回の実験ではどうしても地上の予備加熱が必要となった。

一方、TR-IAの打ち上げスケジュール上、真空排気は打ち上げ前約50分前に停止される。従って、今回の実験では真空排気停止から予備加熱開始までの間、炉内の真空度が維持され、加熱プロファイルが計画通り再現できるかどうかがミッション達成上大きな課題となった。

真空維持の必要性

TGF炉体部は機能上試料温度は高温(約1000℃)に加熱され、その他の温度(例えばゴールドミラーの温度)は比較的低温(500℃以下)に保たれる。そのため真空断熱が破れると高温である試料の熱が低温側に熱伝導により奪われてしまい、試料の温度が上がらず、融解できないことになてしまう。
図7.3-14に真空度と平均熱伝導率との関係を示す。本関係は多層断熱での値であるがTGF炉体部でも同程度の関係であるものと考えられる。従って、本関係から真空断熱を確保するための真空度は、おおよそ10-2[Torr]より高真空である必要があると言える。


図7.3-14 真空度と平均熱伝導率との関係  

今後の課題

炉内真空度を維持する上で、今後の対策としては次のものが考えられる。

a.真空シールとしては、形状、スペースが許す限り、軸シールは避け、フランジ・シールとすることが好ましい。

b.より安定した運用のためには真空排気装置を準備することが好ましいが、排気装置の準備については、実験を含めて、効果的な方法あるいはシステムを検討する必要がある。 

7.4 結 論

7.4.1 実験結果のまとめ

実験結果と考察をまとめると次のとおりになる。

(1) 加熱歪の低減ができ、種部での転位を103[cm-2]台に抑えることができた。

(2) 微小重力下での急速成長において単結晶成長に成功した。

(3) 固液界面の移動速度を直接テレビカメラにより測定することができた。

(4) 固液界面の形状はシミュレーションと良い一致を示した。

(5) ゲルマニウム融液と石英管が固着する現象がみられた。この結果、アンプル管が破損し、転位の導入がみられた。

(6) 融解長は予想よりかなり短く、より急速な加熱が望まれる。

また、技術的にはほぼ計画していた実験支援技術を習得することができた。

7.4.2 実験成果と意義

急速融液成長は微小重力下で融液が容器に接しないことを利用したもので、微小重力利用材料研究の一つの分野を形成する重要な技術である。類似のものとして落下塔を用いた合金金属液体球の急冷凝固の研究がある。この実験では無容器の場合に得られる大きな過冷却を利用し、急速に固化することにより新しい合金相の出現を研究する。この場合は種結晶を用いていないので成長した固体は一般に多結晶である。一方、本実験では固体の一部を残して固化するので、未融解部分を種結晶として用いることができ、単結晶成長を行うことができる。
本実験で得られた成果は7.4.1項にまとめた通りであるが、これらの結果には次の意義がある。本実験は既に述べたとおり、微小重力下での半導体の急速成長に関する研究の歴史においては、旧ソ連のチェルノフ等の研究に次いで、二番目のものである。この歴史的背景から本実験の意義を考える必要がある。
先ず、急速融解成長に関する加熱方法であるが、チェルノフ等が燃焼加熱を採用しているのに対して、本実験では電気抵抗加熱を採用した。燃焼加熱は急速加熱が可能な点、利点も大きいが、燃焼の制御が困難であるので、加熱冷却の温度プログラムをあらかじめ設定することができない。さらに、あまりに急速な加熱冷却であるため、熱歪により結晶内にかえって欠陥を導入する危険性もある。又、加熱冷却の再現性に関しても問題がある。その点抵抗加熱は温度制御性、再現性は比較にならない程優れているが、加熱の急速性については劣る。そこで、本実験ではゴールドミラー炉を用い、炉の熱容量を著しく小さくするとともに、最大限の電流を流すことにより急速加熱を試みた。フライト実験によると、融解長は7mmと地上実験に比べ、約1/2程度であったが、一応融解と固化が行われており、電気炉により急速融解・成長を行うことができた。これ以上の融解長を得るには制御装置の能力を向上させることが必要である。このようにして電気炉の採用により制御された急速加熱と冷却が可能になった。
種部の転位密度を調べてみると、チェルノフ等が加熱後105~106[cm-2]に転位密度が増加したと報告しているのに対し、本実験の場合加熱後の転位密度は103[cm-2]の程度であり、燃焼加熱の場合のような大幅な増加はない。このことは抵抗炉の採用のためと考えられる。
成長速度はテレビカメラによりその場で測定することができた。これは今迄できなかったことであるが、ゴールドミラー管の採用により、初めて可能となった。これにより測定した融解速度、成長速度ともに約6mm/minであり、通常の融液成長速度に比べ約50倍の速さである。このような急速成長においても単結晶成長が行われており、急速成長における単結晶成長という第一の目的を達成することができた点で、本実験の意味は大きい。
成長軸を含む断面を結晶カッターにより切り出し、研磨後エッチングを行って、融解部と未融解部の境界を決定した。それによると、その境界は融解側に対して凸形となっており、計算機シミュレーションの結果と定性的に非常に良い一致を示した。微小重力下では熱対流が停止するので、理想的な状態で結晶成長を行うことができる。従って、その様子を計算機シミュレーションと比較し、それがどの程度実験を説明できるかを見ることにより、融液成長のメカニズムに関する情報が得られる。それによると、計算機シミュレーションは固液界面の形状はじめ多くの点で実験をかなり良く説明しており、今後試料の抵抗分布等が明かとなれば、より詳しい比較が可能になるものと考えられる。
一方、予想とは異なる実験結果も得られた。それはGe融液と石英アンプル管の固着の問題である。7.2.1項において述べたように石英管にはGe融液は“ぬれ”ないはずである。しかるに縦断面形状を見ると、融液は管壁に密着しており、固着があったものと考えられる。これを裏付けるものとして、Ge棒が融液側に引き込まれる現象がテレビにより明瞭に観察されている。この引き込みはフライト実験中でのgジッターによる可能性も当初考えられたが、両者の時間対応が全くないことから、この可能性は否定された。現在の所、この原因は完全には明かではないが、アンプル管内のクッション材として用いたカーボンシートからの微量水分が原因でGe融液と石英管が固着した可能性が高い。いずれにしても地上では重力により融液が管壁に押し付けられているため移動できず、顕著な固着現象は観察されていないが、微小重力下では融解しつつある試料は容易に移動できるため固着現象が顕著に現れたものと考えられる。この固着現象のため、結晶成長時結晶に大きな歪が加わり、目的の一つであった低転位結晶の成長には成功しなかった。しかし、このような新しい知見が得られたので、アンプル管の内部構造を変えることにより固着現象を回避することが可能と考えられる。

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温度勾配型加熱装置(TGF)2 www.tool-tool.com

碧威信封-背面~1

7.2.2 フライト実験

7.2.2.1 試 料

カートリッジの形状、ゲルマニウム試料及びその封入に用いた石英管とも地上実験のものと同一ロットのものである。ただし、封入用キャップだけは手持ちが切れたため、異なるロットで直径が0.5[mm]ほど小さいものを使用している(実験への影響は無いとしてよい)。
なお、フライト試料は2本準備し1本はバックアップとし、打ち上げ前試料の最終点検装着時に試料(ゲルマニウム)の外観、及び接着剤の施工状態からより良好な1本を選定した。

また、7.2.1.4項(3)に示したとおり、地上実験時のベーキング温度(700℃)がやや高すぎる懸念があったため、フライト実験用試料は400℃でベーキングを行った。

7.2.2.2 実験装置

(1) 機能ブロック

TGFサブシステム、炉体部、試料部の外観をそれぞれ図7.2-11図7.2-12図7.2-13に示す。また、TGFの機能ブロックを図7.2-14に示す。電力の供給源は2台のバッテリであり計測制御装置は制御温度に基づいた電力の制御及びシーケンスに沿ったコンポーネントの制御を行っている。また、取得した実験データ(温度データ、電力データ)はテレメトリデータとして実験支援系に送られ、ロケット系を介してダウンリンクされる。なお、その場観察はCCDカメラにより行われ、画像はVTRテープに記録される。

(2) 配管系統

TGFの配管系統を図7.2-15に示す。炉体部の中には冷却室があり低温部を独立して冷却できるよう仕切られていている。真空排気する際には真空弁(VV61)と電磁弁(SV62)を開くことにより炉体部内が真空排気される。試料の冷却を開始する際は冷却室にHeガスを封入し(SV61開)、また、炉内全体を冷却する場合はSV61およびSV62をともに開にすることにより炉内全体にHeガスを封入する。

(3) 加熱室

TGFの加熱室は炉心管、ヒータ及びゴールドミラー管から構成されておりゴールドミラー管を通し、高温でのその場観察ができるようになっている。
ゴールドミラー管は石英管の表面に薄くゴールド(Au)をコーティングしたものでありゴールドの薄膜は光の赤外域は反射し、可視域は透過するという性質を利用して加熱と観察の双方を達成している。本実験では試料の温度が高く自ら発光するので照明を使用しなくても十分観察できた。


図7.2-11 TGFサブシステム外観  


図7.2-12 炉体部外観  


図7.2-13 試料部外観  


図7.2-14 TGF機能ブロック  


図7.2-15 TGF配管系統  

7.2.2.3 実験条件

(1) 地上加熱

本実験では地上実験の結果から試料(ゲルマニウム)融解開始までに5分間を要することが分かり、また、微小重力での融解を行うため融解開始時刻を打ち上げ後70秒(X+70秒、おおよそ微小重力環境が達成される時点)に設定したので、打ち上げ前の230秒(X-230秒)から地上加熱するよう設定した。
また、打ち上げ前50分に真空排気装置は撤去されてしまうため、宇宙で真空排気を再開するまで炉内の真空を維持しなければならず、真空度劣化による昇温速度への影響が心配されたが、1gリファレンス実験及び打ち上げ前準備作業で真空が維持できることを十分確認してきており、当日は打ち上げ前(カウントダウン時)加熱開始から実験期間中、試料温度をモニタしTGF炉内真空度に異常がないことを確認した。
打ち上げ前に真空度が悪化することにより試料温度が予定通りに上昇しない場合は当日の打上げを中止することとしていたが、試料温度は予定通りに昇温し問題なく実験は行われた。

(2) 実験プロファイル

X-230秒でTGF実験準備信号を実験支援系から受けることによりTGFは加熱を開始する。その後、地上加熱を経て打ち上げられ、約X+70秒で融解が開始するよう計画した。また、X+190秒まで最大電力(400W)を投入し続け、その後、電力を3W/秒ずつ減少させることにより試料(ゲルマニウム)を融解凝固する。CCDカメラによる観察はX+65秒からX+451秒まで行われ融解凝固過程をVTRに収録する。
本実験の実験プロファイルを図7.2-16に示す。


図7.2-16 実験プロファイル  

(3) 温度計測・制御

投入電力はヒーター近傍に装着した熱電対で計測した温度を制御温度としてファジー推論により制御する。本来TGFは高温室、低温室の両ヒーターを制御可能であるが、実験条件から高温室のみの制御とした。
また、試料温度(石英製カートリッジ側面温度)を熱電対により4点計測し、試料の温度分布及び試料の温度勾配を求めた。(図7.2-13参照)

7.2.2.4 打上げ前準備作業

TGFは打上げ前準備作業として次の項目を実施し、フライトできる状態であることを確認した。

(1)フライトテープ装着

(2)フライト試料点検及び装着

(3)漏洩試験

(4)ベーキング

(5)真空放置試験

(6)コネクタ固着

(7)バッテリ補充電

上記項目のうち(5)真空放置試験については、初め真空維持の条件(真空引き終了から110分の真空放置で真空度が10-2[Torr]台より高真空)が満足できず、リーク箇所をチェックした結果、試料装着部のフランジから非常に微量のリークが発見された。
当該部分は構造上、改修が困難であったのでシール用接着剤による真空シールの処置を施すこととし、最終的に真空維持の条件を満たすことができた。
その他の項目については準備作業を予定通り終了し、TGFは正常であることを確認した。

7.2.2.5 実験シーケンス

TGF2号機の実験シーケンスを図7.2-17に示す。


図7.2-17 実験シーケンス  

7.3 実験結果

7.3.1 地上実験及び1gリファレンス実験

7.2.1.2 項に示した予備実験の結果、試料は融解量が外観で約20mm(試料中心部は約15mm)で一方向凝固できる(アンプルが割れない)見通しを得た。
1gリファレンス試験においてもカートリッジ及び封入石英管に破損はみられなかった。ゲルマニウム結晶は高温端の一部がカーボンシート側にはみ出し僅かに欠けていた。また壁面との接触によって多結晶化するだろうとの予想に反し単結晶になっていた。融解量は約15[mm]である。図7.3-1に縦割り断面を示す。下側に木の根状の構造が見られるが原因は不明である。また液面の縁の部分から多くの転位が導入されている。


図7.3-1 1gリファレンス試料縦割断面図で左側が種結晶側 重力は図中で下向き  

また、実験装置は1gリファレンス試験でフライトシーケンスが正常に実行され、テレメトリデータ及びVTR画像ともに良好に取得できたことを確認した。

7.3.2 フライト実験

実験後の試料及びカートリッジの外観を図7.3-2に示す。カートリッジに異常は認められなかったが、内部のゲルマニウム封入管に試料高温端付近より斜めに亀裂が入っているのが認められた。石英管と試料ゲルマニウムの固着はなく、試料取り出しは容易であった。固化膨張にともなう内部からの融液の吹き出しは僅かしか認められなかったことから固化時の体積膨張の可能性も低い。まだ確実なことは言えないがこの割れは冷却時の石英とゲルマニウムの固着によるものではないかと思われる。また試料高温端で試料が一部欠けているのが発見された。これは上記の管の破損と同時に起こったと考えるのが妥当である。
成長と同時に撮影されたビデオ映像では界面の移動が明瞭にとらえられている。これは液体と固体で放射率が違うことに基づく。ただし成長の終期においては試料の温度が下がり、放射が少なくなるので界面は明確でない。
高温端の端部の形状はほぼ軸対称になっており、地上で試料管を縦に配置して行った場合の固化後の形状と類似している。一方成長部分の中間の部分では融液があたかも重力が働いたかのごとく片側に流れてきており非対称形状になっている。チェルノフ等の実験では成長部分は電球を細長くしたような軸対称の形状をしておりこの点で顕著な違いを示している。
この試料を図7.3-3のように切断し、成長方向の断面と成長方向に垂直な面で輪切りにした面の観察を行った。エッチング後の断面観察の結果(図7.3-4)から、試料は先端より約7[mm]が融解したことがわかった。これは地上実験時の融解量(15[mm])に比べて少ない。これは、ベーキング時の温度が地上実験に比べて低かったために、加熱時にガスが放出されこのガスによってヒーターから試料以外の部分に熱が逃げたと考えられる。加熱時のプロファイルを見ても立ち上がり時は地上実験に比べて温度の上がり方は速いが、700℃付近で逆転されていることから推察される。しかし、これ以外の理由として融液内での対流の停止のため地上に比べ熱が固液界面まで運ばれる速度が低下したことも一因と考えられる。

融解完了直後の界面形状は地上実験の時に比べて丸みをおびており、またより軸対称に近い。


図7.3-2 試料融解部分外観  


図7.3-3 試料切断法  

融解部分を完全に含むように先端を切り離し縦に二つに割る。一方を断面観察用にし、他方はさらに輪切りにして面内の転位を見る。この他に未融解部分を一部切り出した。 寸法でカッコ内は地上試料のもの。


図7.3-4 フライト実験試料縦割断面画面右側が種結晶側下が管に亀裂の入った側  

7.3.3 転位密度分布

地上実験、フライト実験の双方について、未融解部分の一部(融解部分より約2[cm]離れた箇所)をとり、転位密度の評価を行ったところそれぞれ4×103[cm-2]、5×103[cm-2]で差はなく、またいずれの試料も面内の転位の分布はほぼ一様であった 一連の試料アンプル作製プロセスを行う前の転位密度を評価するため、試料棒を切り出した残りの材料の転位密度を調べたところ5×102[cm-2]台であり加熱融解によってやや転位は増えていることがわかる。
それぞれの試料を高温端から2mm毎に輪切りにし、各切片の中心付近における転位密度を調べた。結果を図7.3-5に示す。いずれの試料も成長部分の転位密度は種結晶に比べて増加している。また、1gリファレンス実験と比較してフライト実験試料の方が全体に転位密度が高めである。いずれの試料についても成長の終期において周囲に比べ転位が減少している部分がみられた。これが急速成長の効果によるものかについては更に詳しい検討が必要である。


図7.3-5 フライト実験、地上実験各試料の転位密度分布試料中心付近での平均値。エラーバーは標本の最大と最小を示す。  

7.3.4 考 察

今回の実験の目的の一つは、チェルノフ等の用いた燃焼加熱のかわりにより穏やかでかつ制御された加熱方法として熱容量の少ないゴールドミラーを用いた抵抗加熱を用いることである。制御装置(電力アンプ)の能力不足から思ったほどの加熱が得られず、本フライト実験ではたかだか7mmしか融解しなかったことは残念であったが、この加熱方法によって引き起こされる熱歪のために導入される種側の転位は、燃焼加熱に比べ圧倒的に少なく後者が105~106[cm-2]であったと報告されているのに比し、本実験では融解したところから種側に2cm入ったところで103[cm-2]台と低い値であった。このことから抵抗加熱を採用した意味は大きかったと考えられる。
実験の次の目的は、融解、成長過程において固液界面が移動する様子を直接テレビカメラでモニターし、成長速度を決定できるかどうかを調べる点であった。融解長が当初の予定よりはるかに短かったため、固液界面がカメラの視野のごくはじの方にしか存在せず多少見えにくい点もあったが、融解及び成長の様子をその場でみることができ、融解・成長速度がともに6mm/分であることが測定された。
種結晶と成長結晶の界面はエッチング法により明瞭に観察できる黷Iに図7.3-6に示すが、この界面は地上成長と微小重力下の成長では大きく異なる。地上結晶では界面はほぼ平面状であるが、管壁に接する部分は種側に大きく下回っている。一方、微小重力下での結晶の界面は、結晶の長手方向の中心平面に対しほぼ円筒対称となっており液側に大きく凸となっている。この形状は計算機シミュレーションで得られた形状に良く一致しており、現在詳しい比較を行っている。
次の問題はフライト実験においてみられた融液と石英ガラスとの固着である。ビデオでもはっきり観察されたが、融解時ゲルマニウム結晶全体が高温部に引きずられ移動する現象がみられた。フライト実験の結晶をみると融解部はアンプル管と同じ形状をしており、これは融解時に融液がアンプル管全体にわたり密着していたことを示す。地上実験でのたて型炉における成長実験では凝固終了後の形状が上に凸になっており、これはゲルマニウム融液と石英が”ぬれ”ていないことを示している。従って本来的には濡れ性の悪いものがフライト実験においては濡れていたことを示す。もう一点気がついたことは、アンプル管内でクッション材として用いたカーボンシートがゲルマニウム融液に強く固着し、成長結晶から容易にはとれない程付着していた点である。カーボンは、もともとゲルマニウムとは濡れ性が悪く、それ故地上でのボート材としても用いられている。しかし、今回カーボンシートがゲルマニウムに強く付着していることから何らかの原因があり、これが同様にゲルマニウムと石英管との固着をもたらしたものと考えられる。
この原因については推測の域をでないが、カーボンシートに吸着されていた微量の水分ではないかと考えられる。これについては追加実験を必要とするが、ゲルマニウムが水分により酸化され石英管と固着した可能性がある。地上でフライト実験と同じアンプル管により成長された場合には、融液は重力によって下に押しつけられているので試料は移動が困難であり、フライト実験のように管内壁全体に密着するようにはならなかった。このためこの固着という問題は地上でははっきりとはみられず、フライト実験において初めて見いだされたといえる。いずれにしてもこの固着現象を解明することが今後の課題である。


図7.3-6 固液界面形状  

今回の実験では以上述べた固着という現象のため、急速成長による転位の劇的な低減化はみられなかったが、結果として次のようなことがいえる。

(1)フライト実験試料、地上実験試料とも成長部分は種結晶に比べ2桁近く転位が増加し105[cm-2]の程度であった。転位の発生についてみると、壁面からの転位の導入がより多いが内部でも増えている。成長開始時の界面は融液側に凸であるが成長が進むにつれ凹に転じた痕跡もあり界面形状の影響もあると思われる。融解しなかった部分でも転位が増殖し成長界面近くでは転位密度は105[cm-2]台にあった。フライト試料で低温側で外周だけが融解した部分では転位は更に多く、この転位が未融解部分にまで入り込んでいる様子が明瞭に観察された。
フライト試料、地上試料ともに主に壁面から多くの転位が導入されているが両者の間には若干の差がある。フライト試料では前述の管に亀裂の入った側で転位密度が非常に高く、106台後半から107[cm-2]台に達している。しかしこの部分を除いては壁面からの転位の導入はあるものの地上試料に比べて少なく、特に亀裂と反対の面では管との接触があったにも関わらず、転位の導入はほとんどない。一方、地上成長試料では融液の自由表面部からの転位導入はほとんどないが、壁面と接触した部分からは相当転位が入っており特に融液表面の縁の部分からは107[cm-2]台の転位が入っている。フライト実験試料にもこのような縁はあり転位の導入もあるが、少ない。
(2)フライト実験試料において融液が片側に寄り非対称形状を示し、チェルノフ等の実験と大きく異なっている。これは、断面すべてにわたって溶解した部分では見られず、外周のみ溶解した部分でだけ見られた。この原因は融液と石英管の固着にあり、結晶が融液に引き込まれたあと固化する時に片寄りが発生したものと考えられる。
(3)石英とゲルマニウムは本来濡れ性は悪いが、既に述べたゲルマニウムと石英の固着現象のため融液が石英管の内壁いっぱいに広がり温度降下時熱膨張差により石英管に亀裂を残し結晶に転位の導入を招いたものと考えられる。

(4)真空弁、気泡注入装置等の作動に伴い発生するg-ジッタが結晶成長に及ぼす影響について考える。融体中に流れを引き起こすのは低い周波数のg-ジッタである。上記のg-ジッタは比較的高い周波数であり、結晶成長に及ぼす影響は高次の効果であると考えられる。今回の実験結果から見る限りg-ジッタが結晶成長に及ぼした影響は明確ではなく、今回の実験計画ではその影響を無視できると思われる。

7.3.5 実験装置フライト結果

7.3.5.1 フライト結果

本項では実験装置からみた実験結果として「実験シーケンス」と「温度プロファイル及び電力プロファイル」をまとめて示す。実験装置の機能としては正常に作動し良好な結果を得ることができた。

(1) 実験シーケンス

実験中に発生したイベントを表7.3-1に示す。
各イベントは計画通り発生していており実験装置はフライト中正常に作動したことが確認できた。

(2) 温度プロファイル及び電力プロファイル

加熱開始(打ち上げ前230秒)から実験終了までのプロファイルを1gリファレンス時のプロファイルと比較をして示す。

A.試料温度プロファイル

試料カートリッジに固定した熱電対温度プロファイルを図7.3-7に示す。[試料温度1(高温側)と試料温度4(低温側)を示す](カートリッジの温度測定位置は図7.2-13参照)どちらの温度もフライトデータと1gリファレンスのデータは良く合っている。ただし、試料温度1はX-230秒(加熱開始)からX-130秒付近までフライトデータが1gリファレンスデータよりも上回っていて、逆にX-30秒からX+80秒までは若干フライト時の温度の方が1gリファレンス時の温度よりも下回っている。
フライト時と1gリファレンス時で試料温度1が変化したのは、これまでのデータから見て、炉内の真空度が変化したためと考えられる。真空度が変化する要因としては、環境の違い(振動荷重の有無)、コンフM戟[シ唐痰iMGESへの組込み状態と、装置単位との違い)、試料部の違い(ベーキング温度の違い)が考えられるが次の理由により試料部(ベーキング温度)の違いによる影響が最も大きかったと考えられる。

a.炉体部単体で加熱状態(真空状態)で振動試験を実施しており、このとき真空度の悪化はみられなかったので打ち上げ時の振動荷重で真空度が悪化した可能性は小さい。

b.真空維持の状態はMGESに搭載されている時とTGF単体の時でTGFから考えると同じコンフィギュレーションであり、打ち上げ時のコンフィギュレーションが真空度を悪化させる要因とは考えられない。 

c.1gリファレンス用試料のベーキングは700℃、2時間で実施したがフライト用試料は400℃、4時間で実施した。このためフライト時は400℃以上に加熱された時点でアウトスが発生したものと考えられる(図7.3-7の現象と合致)また、加熱初期時に真空度が良かった原因は打上げ前の真空維持時間が短かったため
(1g時2時間に対してフライト時は約46分)と考えられる。

上記考察の結果、アウトガスが試料温度1のプロファイルに影響を与えたものであると推定できる。試料温度4にも同様の理由により若干温度差があったものと考えられる。また、X+80秒以降で試料温度1及び試料温度4の温度はほぼ1gレファレンス時に漸近し、試料温度1の最高到達温度はフライト時が1047.4[℃]、1g時が1047.2[℃]であった。

B.試料温度平均温度勾配プロファイル

試料温度1と試料温度4の間の平均温度勾配を図7.3-8に示す。温度勾配は試料温度1と試料温度4間の平均値を表している。温度勾配についてもフライト時と1gリファレンス時は良く合致している(最大差3℃/cm)。

C.ヒータ温度プロファイル

高温室ヒータ近傍に装着した熱電対温度(ヒータ温度1)及び低温室ヒータ近傍に装着した熱電対温度(ヒータ温度2)のプロファイルを図7.3-9に示す。ヒータ温度もカートリッジ温度と同様に炉内真空度の影響を受け、フライトデータと1gリファレンスデータとで若干温度差がみられた(ヒータ温度1は最大26℃、ヒータ温度2は最大10℃)。ヒータ温度1及びヒータ温度2はヒータの近傍(真空中)の温度を計測しているため真空度が悪化すると回りの高温部(ヒータ等)からアウトガスによる熱伝導で熱が入り温度が上昇するものと考えられる。従って真空度が悪化したフライト時の方が高目に出ている。

D.投入電力プロファイル

高温室ヒータに投入された電力プロファイルを図7.3-10に示す。投入電力はフライト時と1gリファレンス時で一致している。
本実験では低温室ヒータに電力は投入していない。

表7.3-1 TFGシーケンス 

No.
シーケンス項目
期待値
測定値
判定
備考

1
実験準備コマンドON
X-230.0付近
X-230. 0
OK
No.1は手動による操作
No.2, No.3,No.6はBUSからのコマンドをTGFが認識した時刻である。
それぞれについてBUSがコマンドを出した時刻は、X+60.1,X+65.1,X+80.1であり、いずれも0.1秒遅れ(正常)であるTGFはNo.3の実験準備信号をトリガーに作動開始する。
No.4,No.5(CCD/VTR ON)は、No.3実験準備0Nから0.8秒の遅れである(正常(*1))。以降のTGFの各イベントも0.8秒遅れで発生している。
(*1)
ソフトウエア上、TGFはNo.3の実験準備0N(X+65.2)を受け即座に作動開始しようとするがフィルタリング、及ひモード遷移の関係で0.2~1.2秒遅れるのが正常である。

2
実験準備コマンド OFF
X+60.2
X+60.2
OK

3
実験準備コマンド ON
X+65.2
X+65.2
OK

4
CCDカメラ ON
X+65.4±
X+66.0
OK

5
VTR ON
X+65.4±
X+66.0
OK

6
実験開始コマンドON
X+80.2
X+80.2
OK

7
SV63 開
X+80.4±
X+81.0
OK

8
真空弁アンサ 開
X+80.4±
X+81.0
OK

9
SV63 閉
X+83.4±
X+84.O
OK

10
音声イネーフル ON
X+1OO.4±
X+101.0
OK

11
SV61 開
X+250.4±
X+251.0
OK

12
SV61 閉
X+255.4±
X+256.0
OK

13
SV64 開
X+4OO.4±
X+401.0
OK

14
真空弁アンサ 閉
X+400.4±
X+401.0
OK

15
SV64 閉
X4O3.4±
X+404.0
OK

16
実験準備コマンド OFF
X+441.4±
X+442.0
OK

17
実験開始コマンド OFF
X+441.4±
X+442.O
OK

18
CCDカメラ OFF
X+451.4±
+452.0
OK

19
VTR OFF
X+451.4±
X+452.0
OK

20
音声イネーブル OFF
X+451.4±
X+452.0
OK

21
TGF OFF
X+530.4±
X+531.0
OK


図7.3-7 試料温度プロファイル  


図7.3-8 試料温度勾配プロファイル  


図7.3-9 ヒータ温度プロファイル  


図7.3-10 投入電力プロファイル  

(3) 画像データ

VTRに記録した画像データは正常であり、以下に示す項目を確認することができた。

・試料の融解凝固過程を観察でき固液界面の移動速度を確認できた。

凝固時の固液界面の移動速度を表7.3-2に示す。

・試料全体の観察により実験中に試料が5回若干量動く(未融解部分が融液中に引き込まれる)という予想外の挙動を観察できた。

試料未融解部分が引き込まれた時刻

X+140秒

X+165秒

X+172秒

X+180秒

X+190秒

表7.3-3に示すように、この挙動はフライト中に発生したg-ジッタとは特に関係がないと考えられる。

・光学部(レンズ)は焦点、露出とも良好であった。(打ち上げ時の振動によるずれはなかった)

・時刻認識用の音声(1kHz)信号は予定通り記録されていた。

得られた画像データ例を図7.3-11に示す。

表7.3-2 固液界面移動速度 

時刻[秒](*)
固液界面移動速度

X+240(凝固開始)
—–

X+240~X+265
約6[mm/分]

X+265~X+295
約6[mm/分]

X+295~X+325
約6[mm/分]

(*)打ち上げ時刻がX+0

表7.3-3 g-ジッタの発生 

時間
X+(SEC)
振幅(P-P) (mg)
イベント
備考

X軸
Y軸
Z軸

64.0
4.8
4.8
1.5
1段モニタ分離

64.5
3.0
ISPレンジ切り替え

70.3
0.9
1.1
2.2

71.4
3.8
6.3
6.3
RCS作動

73.4
0.6
0.9
2.4
BDH M2 モータ停止(74.1)

75.2
4.1
2.2
6.3
BUS VV01(真空弁)開

78.2
0.2
0.1
0.3

79.5
3.4
6.0
3.3
BDH M2モータFWD

80.7
0.5
1.0
0.9
[HTF VALVE ON(80.1)]
μ-g 実験開始

80.9
6.2
6.3
5.5
TGF VV61(真空弁)開

83.9
0.2
0.2
TGF SV-63閉(84.0)

92.3
0.5
0.5
1.8
BDH M2モータFWD

93.5
0.3
BDH M2モータSTOP(93.4)

150.3
0.5
0.6
1.8
BDH M2モータ

152.8
0.1
0.1
0.4
BDH M2モータSTOP(152.8)

166.2
0.4
0.7
1.7
BDH M2モータFWD

169.3
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

169.6
0.5
BDH M2モータFWD

178.6
0.4
0.3
0.3

185.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

186.6
0.3
BDH M2モータSTOP(186.4)

194.9
0.4
0.3
0.3

221.4
0.4
0.3
0.4

236.4
0.2

243.2
0.6
0.6
1.9
BDH M2モータFWD

245.5
0.4
0.3
0.4
BDH M2モータSTOP(245.7)

245.8
0.4

250.9
0.3
0.3
TGF SV61閉(251.0)

251.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

254.3
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

254.6
0.4
BDH M2モータFWD

255.9
0.1
0.2
TGF SV61閉(256.0)

269.2
0.4
0.3
0.4

270.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

271.5
0.1
0.3
BDH M2モータSTOP(271.4)

284.9
0.1
0.3
0.4

291.4
0.4
0.3
0.4

319.3
0.4
0.3
0.4

328.2
0.6
0.7
2.0
BDH M2モータFWD

330.8
0.4
BDH M2モータSTOP

334.4
0.3
0.4

339.3
0.1
0.3

344.2
0.5
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

347.2
0.5
0.5
1.3
BDH M2モータFWD

347.6
0.4
BDH M2モータSTOP

363.2
0.5
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

366.2
0.2
0.4
1.3
BDH M2モータFWD

366.6
0.4
BDH M2モータFWD

372.9
0.4
0.3
0.3

382.2
0.4
0.6
1.7
BDH M2モータFWD

383.4
0.3
BDH M2モータFWD

400.8
6.2
6.3
6.0
TGF VV61(真空弁)閉
TGF SV64開(401.0)

403.9
0.2
0.2
TGF SV64(404.0)

406.6
0.4
0.4
0.4

437.8
0.4
0.3
0.4

439.2
0.3
0.5
1.5
BDH M2モータFWD

439.9
0.7
0.8
2.1
BDH M2モータSTOP


図7.3-11 画像データ  

7.3.5.2 フライト後点検結果

2号機フライト後に実施したTGF分解点検結果を表7.3-4に示す。また、結果概要を以下に示す。

(1) サブシステムとしての確認

実施した項目は次のとおりである。

・外観目視検査

・導通絶縁検査

・フライトシーケンス試験

結 果

異常無し。

(2) コンポーネントとしての確認

実施したコンポーネントはつぎのとおりである。

・炉体部組立

・真空弁

・電磁弁

・バッテリ

・CCDカメラ/VTR(*)

・計測制御装置(*)

(*)CCDカメラ/VTR、計測制御装置はサブシステム試験で確認した。

結 果

異常無し。

ただし、バッテリの内部結線チェックの際にバッテリの電圧が規定値を下回っていた。(その後の充放電試験の結果、機能に異常の無いことが確認された。)

表7.3-4 フライト後点検結果 

点検項目
内容
規格
結果

サブシステム
(1)外観目視検査
温度勾配型加熱装置の外観を目視にて検査し異常の無いことを確認する。
異常の無いこと

(2)ハーネスの導通絶縁検査

TGCハーネスの導通絶縁測定を行う

異常の無いこと

ヒータ及び熱電対の導通絶縁抵抗を測定する
異常の無いこと

(3)フライトシーケンス試験
電力分配を行い、電源供給ラインに規定の電圧がかかることを確認する
規定の電圧がかかること

非加熱状態でフライトシーケンス試験を行う
シーケンスが正常に流れ、VTRテープに画像・音声が正常に記録されていること

(4)真空排気試験
真空排気を行い、炉体部及び配管に漏洩が無いことを確認する
規定の真空度に到達すること

各コンポーネント
(1)炉体部組立
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

各サブ組立に分解し、外観を目視検査する
異常の無いこと

(2)計測制御装置
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

(3)真空弁
外部漏洩、内部漏洩検査を実施する
漏洩量が規定値内に入っていること

(4)電磁弁
外部漏洩、内部漏洩試験を実施する
漏洩量が規定値内に入っていること

(5)バッテリ
単体で外観を目視検査する
異常の無いこと

内部結線を導通絶縁検査により確認する
異常の無いこと
(注)

(注)制御装置の漏れ電流により、バッテリが定格容量以上に消費されていた。
   その後の処置により、バッテリに問題がないことを確認した。

7.3.6 共通実験支援技術

TGFの開発項目と習得した共通実験支援技術を以下に示す。

(1) 開発項目

a.炉体部

以下のアイテムを開発することにより、ゴールドミラー管を用いた温度勾配炉の採用が可能となり、高温状態の試料を直接観察することができた。

・観察性、耐振性を考慮したヒータの開発

・耐振性、耐真空性、耐熱性を考慮したゴールドミラー管の開発

b.計測制御装置

小型軽量化及び制御ソフトウェアの開発により実験条件を満足することができた。

c.試料部

耐環境性を有し、温度計測要求を満足した石英ガラス性カートリッジの開発、及び温度勾配を考慮した試料部組立を開発することにより実験要求を満足できた。

d.観察系

ゴールドミラー管を通して、試料の融解凝固過程を直接観察記録することができた。

(2) 共通実験支援技術の習得

A.温度測定及び温度制御技術

a.熱電対による石英製カートリッジ温度の計測

試料カートリッジの温度計測方法に対して、次の条件を考慮して、測定方法を確立した。

[条件]

・真空環境であり、高真空を保たなければならない。(使用材料の脱ガス制限)

・打上げ時の荷重がかかる。(熱電対の固定方法に対する強度要求)

・計測の対象がガラスである。(透過性物質)

確立した項目は次のとおりであり、上記課題を全てクリアし、再現性のある石英製カートリッジ温度を計測する技術を習得することができた。

・真空環境、振動環境、高温環境に耐える接着剤の選定。

・熱電対先端位置を固定するためにカートリッジ表面に、ガラス性の“ポケット”を加工。

・接着剤の量をコントロールすることにより、良好な温度の再現性を達成。

b.温度制御技術

ゴールドミラー管を用いた加熱炉は、観察ができるといった大きなメリットがあるが、熱的な効率からみると金属加熱炉には劣る。このデメリットをおぎなうために次の工夫を行うことにより、熱的改善を試み、半導体の融液成長実験という高温実験に適する装置とした。

・ゴールドミラー管の金コーティングの厚さを調整することにより、管の反射率を上げ、熱的性能を向上させた。

・ゴールドミラー管の端からの熱の逃げを防ぐ構造とした。

B.その場観察技術

炉体部にゴールドミラー管を採用することにより、試料の融解、凝固過程を直接観察することができた。
ゴールドミラー管の金コーティングの厚さは観察性を左右し、コーティングが薄いほど観察性は良好となるが、加熱性能が低下する。
TGFの開発では、観察要求及び加熱性能の双方を満足するようにコーティング厚さを調整する方法を確立できた。

C.高温処理技術

a.真空中で高温に耐えるゴールドミラー管の開発

TGFのゴールドミラー管は高温での使用と強度を考慮して、石英ガラスに金コーティングを施している。石英ガラスへの金コーティングは他に例がなかったが、コーティング工程を確立することにより、高温環境、振動環境で安定して使用できるゴールドミラー管を開発することができた。

b.高温での耐振性のある石英ガラス性カートリッジの開発

2号機実験では地上加熱を実施するため、高温(約900℃)での振動に耐えるカートリッジを開発する必要があり、寸法(管厚等)、形状(管と管との接合方法)、支持方法を工夫することで要求を満足することができた。

c.実験条件を満足した温度制御の達成

ダミーの試料(Si3N4)を用いて次の性能を達成できた。

・温度勾配 38.5[℃/cm]以上

・温度変動度 ±1.4[℃]以下(at 1000℃)

また、実試料を用いた時は、高温側にカーボンロッドを装着するなどの工夫を行い、一時的に約60[℃/cm]程度の温度勾配を実現し、実験条件を満足することができた。

d.ヒータ温度を用いたファジー制御

TGF2号機では、ヒータ温度の制御にファジー制御方式を採用した。

(2号機実験では低温側ヒータは使用しないため、1chのみ加熱制御)

ファジー制御方式は、非線形なプロファイルを作るのが容易であり、本実験では電力を非線形に制御することを考えて採用し、予想通りの成果が得られた。

以下にファジー制御方式の特性をPID制御と模式的に比較した図を示す。


図7.3-12 ファジー制御の特性  

D.材料と容器の適合性評価技術

本実験では融解時にゲルマニウム結晶全体が、高温部に引きずられる現象がみられた。これは、融解時に融液がアンプル管全体に渡り密着し、試料の表面張力により未融解部分が引きずられたものと考えられる。本来、ゲルマニウムと石英ガラスはぬれ性が悪いことが知られており、1gリファレンス実験等、地上実験ではぬれ性が悪いことを示す結果を得ていたので原因は特定できないが、アンプル内にゲルマニウムと一緒に封入したカーボンクロスが何らかの悪い影響を与えた可能性が推定される。
今回の結果を教訓に、今後、サンプルの封入に当っては、次の点に留意していく。

a.材料を容器に装着する時には装着の条件を十分検討する。

(材料の洗浄、ベーキング等の処理条件)

b.材料と容器とは何らかの方法により、固定することを第一に考える。

E.微小重力の擾乱による影響評価技術

図7.3-13に示すNASA文献をもとに半導体成長実験に対する加速度の影響を調 査した。実験中にTGFで発生するg-ジッタは真空弁及び電磁弁の開閉に伴うものであり、大きさが最大数10[mG]、周波数が260[Hz]付近であることを試験で確認した。従って、本g-ジッタは図7.3-13を考慮すると、本実験にほとんど影響を与えないことがわかった。


図7.3-13 g-ジッタの実験に対する影響  

7.3.7 実験装置

実験装置は本実験を実施する上で滞りなく機能した。ただし、打上げ前の地上加熱を行う上で、炉内の真空維持について議論があったので、背景と真空維持の必要性を以下に示す。

背景

小型ロケットの実験では、実験時間は6分間と短いため、今回の実験ではどうしても地上の予備加熱が必要となった。

一方、TR-IAの打ち上げスケジュール上、真空排気は打ち上げ前約50分前に停止される。従って、今回の実験では真空排気停止から予備加熱開始までの間、炉内の真空度が維持され、加熱プロファイルが計画通り再現できるかどうかがミッション達成上大きな課題となった。

真空維持の必要性

TGF炉体部は機能上試料温度は高温(約1000℃)に加熱され、その他の温度(例えばゴールドミラーの温度)は比較的低温(500℃以下)に保たれる。そのため真空断熱が破れると高温である試料の熱が低温側に熱伝導により奪われてしまい、試料の温度が上がらず、融解できないことになてしまう。
図7.3-14に真空度と平均熱伝導率との関係を示す。本関係は多層断熱での値であるがTGF炉体部でも同程度の関係であるものと考えられる。従って、本関係から真空断熱を確保するための真空度は、おおよそ10-2[Torr]より高真空である必要があると言える。


図7.3-14 真空度と平均熱伝導率との関係  

今後の課題

炉内真空度を維持する上で、今後の対策としては次のものが考えられる。

a.真空シールとしては、形状、スペースが許す限り、軸シールは避け、フランジ・シールとすることが好ましい。

b.より安定した運用のためには真空排気装置を準備することが好ましいが、排気装置の準備については、実験を含めて、効果的な方法あるいはシステムを検討する必要がある。 

7.4 結 論

7.4.1 実験結果のまとめ

実験結果と考察をまとめると次のとおりになる。

(1) 加熱歪の低減ができ、種部での転位を103[cm-2]台に抑えることができた。

(2) 微小重力下での急速成長において単結晶成長に成功した。

(3) 固液界面の移動速度を直接テレビカメラにより測定することができた。

(4) 固液界面の形状はシミュレーションと良い一致を示した。

(5) ゲルマニウム融液と石英管が固着する現象がみられた。この結果、アンプル管が破損し、転位の導入がみられた。

(6) 融解長は予想よりかなり短く、より急速な加熱が望まれる。

また、技術的にはほぼ計画していた実験支援技術を習得することができた。

7.4.2 実験成果と意義

急速融液成長は微小重力下で融液が容器に接しないことを利用したもので、微小重力利用材料研究の一つの分野を形成する重要な技術である。類似のものとして落下塔を用いた合金金属液体球の急冷凝固の研究がある。この実験では無容器の場合に得られる大きな過冷却を利用し、急速に固化することにより新しい合金相の出現を研究する。この場合は種結晶を用いていないので成長した固体は一般に多結晶である。一方、本実験では固体の一部を残して固化するので、未融解部分を種結晶として用いることができ、単結晶成長を行うことができる。
本実験で得られた成果は7.4.1項にまとめた通りであるが、これらの結果には次の意義がある。本実験は既に述べたとおり、微小重力下での半導体の急速成長に関する研究の歴史においては、旧ソ連のチェルノフ等の研究に次いで、二番目のものである。この歴史的背景から本実験の意義を考える必要がある。
先ず、急速融解成長に関する加熱方法であるが、チェルノフ等が燃焼加熱を採用しているのに対して、本実験では電気抵抗加熱を採用した。燃焼加熱は急速加熱が可能な点、利点も大きいが、燃焼の制御が困難であるので、加熱冷却の温度プログラムをあらかじめ設定することができない。さらに、あまりに急速な加熱冷却であるため、熱歪により結晶内にかえって欠陥を導入する危険性もある。又、加熱冷却の再現性に関しても問題がある。その点抵抗加熱は温度制御性、再現性は比較にならない程優れているが、加熱の急速性については劣る。そこで、本実験ではゴールドミラー炉を用い、炉の熱容量を著しく小さくするとともに、最大限の電流を流すことにより急速加熱を試みた。フライト実験によると、融解長は7mmと地上実験に比べ、約1/2程度であったが、一応融解と固化が行われており、電気炉により急速融解・成長を行うことができた。これ以上の融解長を得るには制御装置の能力を向上させることが必要である。このようにして電気炉の採用により制御された急速加熱と冷却が可能になった。
種部の転位密度を調べてみると、チェルノフ等が加熱後105~106[cm-2]に転位密度が増加したと報告しているのに対し、本実験の場合加熱後の転位密度は103[cm-2]の程度であり、燃焼加熱の場合のような大幅な増加はない。このことは抵抗炉の採用のためと考えられる。
成長速度はテレビカメラによりその場で測定することができた。これは今迄できなかったことであるが、ゴールドミラー管の採用により、初めて可能となった。これにより測定した融解速度、成長速度ともに約6mm/minであり、通常の融液成長速度に比べ約50倍の速さである。このような急速成長においても単結晶成長が行われており、急速成長における単結晶成長という第一の目的を達成することができた点で、本実験の意味は大きい。
成長軸を含む断面を結晶カッターにより切り出し、研磨後エッチングを行って、融解部と未融解部の境界を決定した。それによると、その境界は融解側に対して凸形となっており、計算機シミュレーションの結果と定性的に非常に良い一致を示した。微小重力下では熱対流が停止するので、理想的な状態で結晶成長を行うことができる。従って、その様子を計算機シミュレーションと比較し、それがどの程度実験を説明できるかを見ることにより、融液成長のメカニズムに関する情報が得られる。それによると、計算機シミュレーションは固液界面の形状はじめ多くの点で実験をかなり良く説明しており、今後試料の抵抗分布等が明かとなれば、より詳しい比較が可能になるものと考えられる。
一方、予想とは異なる実験結果も得られた。それはGe融液と石英アンプル管の固着の問題である。7.2.1項において述べたように石英管にはGe融液は“ぬれ”ないはずである。しかるに縦断面形状を見ると、融液は管壁に密着しており、固着があったものと考えられる。これを裏付けるものとして、Ge棒が融液側に引き込まれる現象がテレビにより明瞭に観察されている。この引き込みはフライト実験中でのgジッターによる可能性も当初考えられたが、両者の時間対応が全くないことから、この可能性は否定された。現在の所、この原因は完全には明かではないが、アンプル管内のクッション材として用いたカーボンシートからの微量水分が原因でGe融液と石英管が固着した可能性が高い。いずれにしても地上では重力により融液が管壁に押し付けられているため移動できず、顕著な固着現象は観察されていないが、微小重力下では融解しつつある試料は容易に移動できるため固着現象が顕著に現れたものと考えられる。この固着現象のため、結晶成長時結晶に大きな歪が加わり、目的の一つであった低転位結晶の成長には成功しなかった。しかし、このような新しい知見が得られたので、アンプル管の内部構造を変えることにより固着現象を回避することが可能と考えられる。

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弊社は専門なエンドミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ

豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は:

(1)精密HSSエンドミルのR&D

(2)Carbide Cutting tools設計

(3)鎢鋼エンドミル設計

(4)航空エンドミル設計

(5)超高硬度エンドミル

(6)ダイヤモンドエンドミル

(7)医療用品エンドミル設計

(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給

(4)オートメーション整備調達

(5)スポット対応~流れ生産対応

弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт  www.tool-tool.com  для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web  http://www.tool-tool.com  for more info.

 
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發文者為 於 2010/01/27 英吋 Uncategorized